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原厂强势调涨存储价格，模组厂不愿跟进
存储价格强势调涨，尽管台湾花莲强震约过2周，存储原厂仍未完全恢复报价，不过美光规划调涨产品报价，第2季DRAM模组与SSD合约价格将提高25%以上获得供应链的证实。
2024-04-16
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三星本季将NAND产量提高30%，今年年底保持50%规模上限
行业透露，三星电子已将平泽园区和中国西安工厂NAND生产线的晶圆产量从今年第一季度环比提高了30%。
2024-04-16
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三星扩大利基型存储外购，台系存储厂接单
三星积极冲刺高带宽内存、DDR5等高端DRAM技术，并寻求台湾ODM厂协助导入之际，在DDR3、NOR Flash等相对成熟或利基型存储则扩大外购
2024-04-16
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三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层
三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。
2024-04-16
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华邦电维持174亿资本支出规模，主要用于高雄厂
华邦电专注中长期策略目标及永续发展，持续投入资本支出，进行下一代制程开发工程；华邦电2024年资本支出规划，将维持新台币174亿元的规模，大部分用于高雄厂产能及制程的提升，少部分用于台中厂。
2024-04-16
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SSD涨价，三星、SK海力士Q1将转亏为盈
随着全球第三大NAND闪存公司西部数据在今年上半年正式宣布固态硬盘（SSD）和机械硬盘（HDD）涨价，三星电子和SK海力士的NAND业务预计将在2024年第一季度扭亏为盈。
2024-04-13
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美光：台湾地震不会对DRAM供应造成长期影响
美光日前公告指出，台湾4月3日发生的7.2级强震，对单季的DRAM供应影响，最多介于4％～6％之间，且并未对厂房、基础设施或设备造成永久性伤害，不会对DRAM供应造成长期影响。
2024-04-13
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SK海力士美国厂2028年投产，需数百名工程师
韩国存储芯片厂商SK海力士近日宣布将斥资38.7亿美元在美国印第安那州West Lafayette兴建次世代高带宽内存（HBM）先进封装制造和研发设施。
2024-04-13
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传三星下周揭晓440亿美元美国芯片投资计划
三星电子准备最早下周揭晓 440亿美元美国芯片投资。知情人士透露，三星计划与美国商务部长雷蒙多一起在德州市概述这项专案。
2024-04-13
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韩存储厂展开DRAM堆叠竞争，成日企商机
对于支撑精细堆叠技术的日系设备和材料企业来说，HBM的普及也是巨大的商机。
2024-04-13
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