三星电子在发布财报之后，透露一些关于第四季度和接下来存储市场的最新分析和判断。

对于第三季度的业绩情况进行了说明，对第四季度的市场进行了展望，并且预测了2025年的存储市场走势。

第四季度DRAM增长下降

DRAM方面，HBM的产销量将扩大，基于先进工艺的DDR5和LPDDR5X产量环比增幅比较有限。

中国市场的库存产品将继续调整，由于上个季度库存和销售低迷影响，预计第四季度DRAM位元增长将出现中位数下降。

NAND方面，服务器SSD需求保持强劲，QLC SSD销量将增加，服务器SSD销量预计将环比增长10%。

由于需求疲软，移动设备需求增长有限，考虑到上一季度的销售基数，预计整体NAND位销售有限增长在低个位数。

DRAM持平，NAND下降明显

第三季度重点提升盈利能力，提高高附加值产品的销售比例，同时促进库存产品的销售，降低库存水位。

DRAM的位增长和上一季度持平，NAND下降了中高个位数。

由于库存销售低迷影响，平均价格的增长略低于计划。

和上个季度相比，DRAM和NAND平均价格出现高个位数增长，以美元计算，存储器行业整体销售额比上个季度增长了中个位数。

DRAM方面，HBM3E正式量产，HBM销售环比增长超过70%。

由于集中力量生产HBM，基于先进制程的DDR5供应有限，服务器ASP的增幅超过了整体DRAM ASP的增幅。

DDR5在服务器DRAM的销售比例超过80%。

特别是，随着AI模型的数据量增加，对大容量DDR5的需求增加，以1b Nano 32GB DDR5为基础研发的128GB产品在整体服务器DDR5销售比例增加到高个位数水平。

NAND方面，服务器SSD销量占据NAND整体占比超过50%，达到历史新高。

由于部分客户调整库存导致需求略有下降，再加上以盈利为导向的经营原则，NAND销量跌破指引。

销售额增长，但存货估价损失转回比上季度减少，激励拨备等一次性成本，美元疲软等影响，存储业务营业利润比上季度下降。

HBM产品优先考虑客户需求

目前正在批量生产和销售8层HBM3E和12层HBM3E。

第三季度HBM3E销售额在整体HBM业务比例上升到了10%左右。

商业化的延迟，导致占比低于上一季度公布的水平，预计第四季度将达到50%左右。

HBM3E主要客户的商业化比预期要推迟，在资格认证的重要步骤取得重大进展。

通过增加多个客户的8层HBM3E和12层产品，从而扩大销售额。

针对主要客户的下一代GPU优化，正在对HBM3E产品进行改进，并且和客户讨论明年上半年量产。

计划将现有的HBM3E产品供应扩大到更多的市场，以及向新市场销售改进版的产品，满足更多的客户需求。

HBM4开发正在按计划进行，目标2025年下半年量产。

现在准备和多个客户一起商业化定制HBM，优先考虑客户需求。

2025年市场展望

从行业供给来说，中国存储厂商的传统产品供给预计将增加，现有厂商向先进工艺的过渡很可能加速，重点在DRAM产品。

在整体行业洁净室限制下，前端工艺占比的扩大预计通过现有产线的工艺改造来实现，而非进行工厂扩建。

考虑到工艺转换过程中的比特损失，预计2025年的比特供应增长将受到一定程度的限制。

三星的DRAM产品，会集中生产HBM，传统产品产量增长有限。

NAND的话，由于行业的CAPEX，利用率在2024年增加，比特供应有所增加。

因为利用率没有进一步提升的空间，预计2025年的供应增长将放缓。

需求方面，市场脱钩现象可能至少延续到2025年上半年。

服务器应用，和AI相关的HBM、DRAM和SSD需求将继续保持稳定。

PC方面，Win10服务的终止，企业需求将会出现增长动力，电脑更换周期也会到来。

部分客户的库存需要调整，移动应用的需求暂时仍相对有限。

一旦库存调整结束，随着旗舰机型的发布，预计2025年上半年采购需求可能会恢复。

虽然各种应用的需求预计时间有所不同，同时需求的两极分化和先进工艺产量增长的限制，先进产品和传统产品之间的供需脱钩现象将暂时持续下去。

专注高附加产品

计划通过优先建设下一代研发中心、投资HBM和确保中长期洁净室，重点关注增强未来竞争力。

设施投资方面，重点关注转换投资，而不是产能扩张。

加快现有生产线向1b纳米DRAM和V8、V9 NAND的转换，专注于高附加值产品。

无论是DRAM和NAND，都将专注于高利润市场和增强必要的竞争力，而不是简单地确保比特份额，根据这个趋势灵活运营生产和资本支出。

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