三星开设实验室研究下一代3D DRAM

2024-01-29阅读量1310

三星将在ISSCC展示280层3D QLC NAND

该公司将展示新型280层3D QLC NAND闪存，密度为1Tb，可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm²，速度为3.2GB/s。

2024-01-30阅读量13583D NAND

三星字符串堆叠技术可实现200层3D堆叠

当国内存储颗粒厂商还在研究128层堆叠技术，三星等厂商又推出了更高阶的3D NAND字符串堆叠技术，字符串堆叠由单个3D NAND设备相互堆叠组成，举个例子，如果将三个64层3D NAND设备垂直堆叠，最终的芯片将是192层产品。

闪德小编整理· 2020-07-13阅读量3237

三星公布自家3D芯片封装技术X-Cube

三星电子宣布，公司的3D IC封装技术eXtended-Cube（X-Cube）已通过测试，可立即提供给当今最先进的工艺节点。

三星电子· 2020-08-15阅读量2676

三星今年将推出3D HBM芯片封装服务

业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。

2024-06-19阅读量10563D

“群雄逐鹿”128层，首款128层3D NAND 消费级SSD横空出世

电子产品的更新迭代速度飞快，当我们还在研究128层3D NAND闪存芯片的时候，有些海外厂商已经推出了128层3D NAND SSD产品，并且已经上市销售。

闪德资讯· 2020-08-19阅读量2598

Trench 3D NAND：固态硬盘的未来？

与之前的硬盘技术一样，3D NAND将达到无法满足高密度需求的地步，而替代技术也将出现。半导体和纳米技术研究机构IMEC认为答案将在于Trench 3D NAND。

2022-05-23阅读量40063D NAND

Solidigm推出首款消费级SSD，采用144层3D NAND

8月3日，Solidigm正式推出了成立以来的首款消费级Solidigm P41 Plus固态盘（SSD）。

2022-08-04阅读量29333D NAND

SK海力士计划今年3D NAND闪存减产15% 以放缓产能扩张速度

SK 海力士表示，该公司将比今年早些时候更加积极地提前削减 3D NAND 晶圆的产能，并且重新考虑装配其 M15 和 M16 晶圆厂的计划，以减少企业资本支出。实际上，由于 3D NAND 存储器市场出现了供过于求的现象，制造商们不得不减产以稳定价格。

cnBeta· 2019-07-27阅读量2528

SK海力士获得DBI Ultra 2.5D/3D互连技术授权，冲击16层堆叠内存

DBI Ultra的生产需要使用新的工艺流程，但是良品率更高，也不需要高温，而高温正是影响良品率的关键因素。

闪德资讯· 2020-02-13阅读量2711