三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层 ssd新闻存储新闻

2024-04-16

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据韩媒《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND 闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。

该公司计划在2025年初推出其后续产品，第10代V-NAND。第10代V-NAND闪存预计将达到430层，比第9代V-NAND闪存增加140层。

这将使三星与其对手铠侠、SK海力士、美光科技的竞争重新走上正轨，并向2030年实现1000层3D NAND 闪存的宏伟目标发起冲击。

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