韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的「IEEE EDTM 2023」上，三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示:「3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。」

此外，负责SK海力士未来技术研究所的SK海力士副总经理车善龙也表示：「将于明年公开3D DRAM的电子特性细节，从而确定开发方向。」

3D DRAM是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说，现有DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响，业界引进了高介电常数 (高 K) 沉积材料和极紫外 (EUV) 设备等新材料和设备。但半导体行业认为，制造10nm或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。

三星电子和SK海力士今年实现量产的高端DRAM线宽为12纳米。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3 ~ 4年后新型DRAM商品化将会是一种必然，而不是一种方向。

当然，与现有的DRAM市场不同，3D DRAM市场目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能应用产品的活跃，业界也开始增加对高性能、大容量存储半导体的需求。

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