关税不确定性催生备货潮，存储报价上涨

第二季的DRAM和NAND Flash合约价调涨幅度皆较原本预期扩大

2025-04-23阅读量1525内存

元宇宙存储供不应求，DDR5价格上扬

包括元宇宙在内的高速运算技术让存储跨入DDR5新世代，DDR5模组大缺货价格水涨船高

2021-12-14阅读量3034内存

依靠HBM，SK海力士复兴之路

SK海力士1983年进入半导体行业，经过40多年的不懈努力和创新，现已成为全球第一大AI内存供应商。

2024-10-10阅读量1688内存

今年HBM整体出货规模1600GB

三星将在定制HBM内存上给予客户充分灵活自主。

2024-09-05阅读量1667内存

三星量产QLC第9代V-NAND

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

2024-09-12阅读量2056内存

三星重新设计1c DRAM提高良率

三星电子自去年下半年起正在对最尖端DRAM进行重新设计

2025-02-12阅读量1717内存

三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术

据韩媒Thelec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。

2024-03-04阅读量1626内存

三星电子否认HBM3E通过验证

三星电子今天再次辟谣，认为外界在制造虚假信息。

2024-08-07阅读量1607内存

三星电子加强DRAM生产

三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。

2024-07-22阅读量1692内存

三星成功开发业界首款14纳米LPDDR5X！

11月9日，三星电子宣布成功开发业界首款基于14纳米的下一代移动DRAM——LPDDR5X，旨在满足超高速数据服务市场增长对内存的需求。

2021-11-10阅读量2821内存