3D NAND，SSD的新方向

目前平面结构的NAND闪存已接近容量极限，而升级制程耗资巨大，这给半导体存储器行业带来了严峻挑战。3D NAND就是目前解决这一问题的最佳方法之一，它由Intel和美光（Micron）合作研发，通过把内存颗粒堆叠在一起后进行封装，可以在相同制程下大大增加存储密度。

cfan· 2018-11-21阅读量3371

3D NAND Flash技术发展到极限，5年内利润空间恐压缩至零

日前SK海力士（SK Hynix）预料，3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限，5年内利润空间恐压缩至零，需业界合作开发新材料因应。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量2320

2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展

据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示

2024-06-19阅读量13773D NAND

2019年H1点序将推全新SD卡控制芯片，可支持3D QLC

​点序集团目前所推出的AS2703EN系列SD卡控制芯片，不但能够满足一般数据U1/U3的读写需求，同时也能满足不同领域的应用。例如支持SDA协会所制订的高画质4K影片录制时所需的V30规格，满足目前最流行的 GoPro HERO 7/ Fusion 4K高画质录像品质，或是针对智能型手机使用所制定的A1规格 (意即SD卡片的随机读取/写入次数每秒能达1,500/500次以上，且连续性平稳写入效能可达10 MB/s以上) 让智能型手机可顺畅地在SD卡上运行应用程序而不卡顿。

中国闪存市场· 2018-12-19阅读量2300

128层3D NAND明年渐成主流

第三季度全球NAND闪存市场明显复苏，三星、铠侠（原东芝存储）、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下，各大厂商之间加紧了竞争卡位，以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片，将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。

全球半导体观察· 2019-12-04阅读量1896NAND

10万次P/E！宇瞻发布新款3D NAND闪存

存储模组厂宇瞻提高3D NAND SLC-liteX技术，可达业界最高10万写入/擦除次数（P/E cycles），让成本相对较具优势的3D TLC NAND也能拥有SLC NAND的耐用性能，同时具备多样规格及-40~+85度C宽温技术选择

2022-03-11阅读量2205NAND

SK海力士研发适用于3D DRAM的下一代通道材料

据韩媒BusinessKorea报道，随着DRAM的尺寸限制问题的出现，3D DRAM等新一代存储芯片的研究正在积极进行。SK海力士介绍了适合3D DRAM的新一代通道材料IGZO。

2023-07-01阅读量16663D

高端CCL 2022或涨价；芯片设计：美企销额仍占行业6成；NAND闪存合约价Q4或小跌

据DigiTimes 9月24日消息，近一个月来，国内CCL市场传出部分企业发通知涨价的消息，这其中包括行业龙头建滔化工集团。CCL作为重要的PCB上游原材料，其价格受到业界多方关注，加之上游铜箔加工费亦看涨，CCL市场2022年或看涨。

2021-09-27阅读量3405NAND

马来西亚全面封锁，镁光NAND厂如何？

截至3月16日12时，马来西亚全国已确诊病例累计高达553宗，成为东南亚国家中确诊病例最多国家，马来西亚总理穆希丁16日晚间宣布，从3月18日起全国实行行动管制令，直到3月31日为止，期间禁止一切社交活动、关闭所有学校与宗教场所、限制国民出国及外国人员入境。

闪德资讯· 2020-03-17阅读量3567

预期NAND下半年将缺货，群联逆市看涨

NAND市场将迎来第二波涨价潮，群联也获商务客户大追单；另外，本月PC客户已接受固态硬盘（SSD）原厂涨价，涨幅约10%。

2022-04-15阅读量2228NAND