5G手机爆发在即,WD推出UFS3.0:采用96层3D NAND

转载: 中国闪存市场 2019-02-22
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西部数据(Western Digital)宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格,提供64GB-512GB容量选择,目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。

此外,西部数据先进的iNAND SmartSLC Generation 6,助力写入速度高达750MB/s,可在3.6秒内完成2小时的电影下载,连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。

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2019年5G爆发,2月21日三星已率先发布了Galaxy S10 5G手机,随后华为、中兴、一加等5G手机也将发布,引爆5G在手机上的应用商机。西部数据iNAND MCEU511 UFS 3.0具有超快的传输速度、低延迟、低功耗,是为5G时代的到来而准备,通过UFS3.0将丰富智能手机用户在5G时代的移动体验。

同样为了满足5G手机需求,东芝存储TMC在1月份率先发布首款UFS 3.0嵌入式存储产品,也是采用最先进的96层BiCS 3D NAND,三星推出业界首款1TB大容量eUFS 2.1产品,再加上西部数据iNAND MC EU511给OEM客户送样,将加速5G手机市场需求的增加。

西部数据设备高级总监Oded Sagee表示:“高速的5G网络速度是前代产品的100倍,并将融合人工智能技术应用,使得智能型手机成为设备的中心。同时,边缘的实时计算对数据访问和获取也有如此高的需求,西部数据UFS 3.0能够让消费者感受5G新体验,比如在增强现实、虚拟现实(AR/VR)和移动游戏等方面体现高性能和更低延迟。

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