华裔半导体技术专家Andy Hsu创办的3D存储器开发商NEO Semiconductor日前宣布推出突破性的3D DRAM技术，这一名为3D X-DRAM的技术号称是全球首款类3D NAND的DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，有望取代传统2D DRAM产品。

NEO Semiconductor创始人兼首席执行官Andy Hsu表示：“3D X-DRAM将成为半导体行业未来绝对的增长动力，今天我可以自信地说Neo正在成为3D DRAM市场的明显领导者。与当今市场上的其他解决方案相比，我们的发明非常简单，制造和规模化成本更低。通过我们的3D X-DRAM，业界有望每十年实现8倍的密度和容量提升。”

NEO Semiconductor的方案是首款基于无电容器浮体单元技术的类3D NAND DRAM单元阵列结构。与行业巨头和学术机构提出的3D DRAM技术相比，它可以使用现有3D NAND工艺制造，其垂直结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。根据该公司估计，3D X-DRAM技术可以通过230层实现128 Gb的密度，这是当今DRAM密度的8倍。

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