DRAM有望导入混合键合技术，迈入3D势在必行 ssd新闻存储新闻

2023-10-18

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据Digitimes报道，部分预测认为，随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈，未来DRAM制程可能引进混合键合（Hybrid Bonding）技术，以提高DRAM的集积度，量产64Gb以上的DRAM产品。

韩媒Theelec报道，TechInsights分析师Jeongdong Choe在首尔南部举办的SEMI研讨会上表示「未来推出的DRAM可能会应用混合键合技术，这是因为它将允许芯片制造商提升DRAM的密度以增加容量。」

Choe说，LPDDR5X和其它最新的内存芯片现阶段只有50%的单元阵列效率，而如果像NAND一样，芯片制造商可以使DRAM阵列芯片和外设单独制造，这可以最大限度的提高芯片密度。

混合键合是指异构芯片和晶圆的键合，从而改善I/O和电路长度。据分析师称，三星、SK海力士和英特尔正准备将这一工艺应用于他们的芯片制造。

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