NEO Semiconductor发布了3D X-AI芯片技术，宣称该技术可实现目前HBM存储器方桉百倍的AI 处理能力，同时功耗也可降低99%。

3D X-AI可理解为两项技术的结合，其采用 3D DRAM 技术建构HBM存储器的DRAM Die，以实现更高容量；同时在DRAM Die中引入本地处理器，类似于先前提出的PIM概念。

在前一项技术上，单个3D X-AI芯片包含300层3D DRAM单元，整体容量达128Gb，12层堆叠后可实现192GB的单堆叠容量，允许储存更大的AI模型。

目前的HBM3 (E) 存储器最大单堆叠容量仅有36GB。

后一项技术上，NEO Semiconductor称其每个3D X-AI芯片均配备一层神经回路单元，包含8000 个神经元电路，可直接在3D存储器内部执行AI处理，大幅减少了数据传输至GPU产生的功耗。

NEO Semiconductor预计每层神经回路单元可提供10TB/s的AI处理吞吐量，对于12层堆叠的3D X-AI存储器堆叠而言就是120TB/s，较传统方桉提升了100倍。

由于架构和技术效率低下，当前的AI芯片浪费了大量的性能和功率。

目前的AI芯片架构将数据储存在HBM中，并依靠GPU执行所有计算。这种数据储存和数据处理分离的架构使数据汇流排成为不可避免的性能瓶颈。通过数据汇流排传输大量数据会导致性能受限、功耗飙升。

3D X-AI可以在每个HBM芯片中执行人工智慧处理。这可以大幅减少HBM和GPU之间的资料传输，进而提高性能并显着降低功耗。

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