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华邦电将新建12英寸晶圆厂 预计于2020年完工试产
华邦电子将新建12英寸厂，通过南科12英寸晶圆厂兴建计划及购买设备，总金额203.67亿元（新台币，下同），预计第4季开始动土兴建，预计于2020年完工试产。
2018-10-31
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硅晶圆供货持续吃紧 客户签长约抢料
半导体硅晶圆供应吃紧，客户纷纷签订长约确保料源，环球晶圆客户预付货款高达新台币133.9亿元，较年初大增近1倍。合晶还有客户签订至2023年的长约。
2018-10-31
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SK Hynix宣布世界首个4D NAND闪存：96层堆栈，64TB容量
在这两天的FMS国际闪存会议上，多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术，国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术，SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术，这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进，堆栈层数达到了96层，TLC闪存类型，核心容量可达1Tb，U.2规格最高可做到64TB容量。
2018-10-30
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8英寸晶圆产能58.5万片，世界先进第2季获利达预期
受惠客户晶圆代工需求增加、产能利用率提升、有利的产品组合及汇率微幅贬值，8英寸晶圆代工大厂世界先进第2季营运表现符合预期，税后净利新台币14.21亿元，每股税后(EPS)0.86元，为2016年第2季以来新高。展望第3季，世界先进董事长方略表示，随着8英寸晶圆代工需求强劲，合并营收估可达76亿~80亿元之间，较首季70.49亿元进一步成长，营业毛利率预计约36~38%之间，营业利益率则为25~27%之间，双率皆成长。
2018-10-30
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韩媒：中国自主研发NAND闪存将量产 对韩企形成威胁
据韩国中央日报8月9日报道，中国在存储芯片领域展开了空袭。在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会上，中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将从明年开始向市场供应32层三维NAND闪存(以下简称NAND)，并公开了自主三维NAND量产技术。
2018-10-30
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东芝96层QLC闪存明年量产：1500次P/E、M.2可到20TB
在此次闪存峰会上，东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash，也就是QLC闪存。BiCS4即第四代BiCS 3D闪存，从BiCS3的64层堆叠提升到96层。时间节点和技术指标方面，BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产，单芯片的容量可达1.33Tb，基于U.2形态的模组可以做到85TB，基于M.2 22110可以做到20TB，相当恐怖。
2018-10-30
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论存储芯片对国家发展的重要性
存储芯片作为半导体元器件中不可或缺的组成部分，有着非常广泛的应用，在内存、消费电子、智能终端等领域均有运用。随着大数据、云计算、物联网等发展，其在整个产业链中扮演的角色将更加重要。过去，我国的存储芯片基本依赖于进口，三星、东芝、SK海力士、美光等美日韩企业占据主要市场份额。近年来，国家把集成电路产业列为“十三五”期间重要的新型战略性产业，国产化“存储芯片”开始逐步崛起，以长江存储、晋华、长鑫等国内企业在技术上不断取得突破，为“中国芯”贡献自己的力量。
2018-10-30
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SK海力士宣布推出全球首款4D闪存：可制造64TB SSD
闪德资讯8月8日消息 目前在美国正在举办Flash Memory Summit，各家存储设备厂商都开始介绍自家的最新产品。其中SK海力士就宣布推出全球首款4D闪存，未来可以制造容量高达64TB的U.2 SSD。
2018-10-30
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美光力推数据中心上QLC SSD：性能是万转机械盘4倍
今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写，即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方，它有三大好处，提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期。
2018-10-30
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携手Everspin：IBM为19TB NVMe SSD引入MRAM
据外媒报道，IBM 正在摆脱传统需要电容支持的 DRAM，转而推进面向下一代闪存系统的磁阻存储器（MRAM）技术。 AnandTech 指出，MRAM 是当前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存储器之一。只是与 NAND 闪存（甚至英特尔的 3D XPoint 存储器）相比，其密度相对更加受限。
2018-10-30
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