英特尔的内存和存储产品部门现在拥有一个完全独立的NAND闪存技术开发团队，该团队与镁光科技（Micron Technology）分拆后，成为了IMFlash Technologies合资企业的一部分。

英特尔即将通过新的144层3D NAND闪存芯片超越Micron，从而在技术上领先。该芯片大约在Micron开始推出其128层3D NAND芯片的时间里上市。SK海力士将于今年晚些时候开始销售其128层3D NAND闪存芯片。KIOXIA将在今年年初之前推出112层芯片。YMTC正在以惊人的速度发展其产品组合。

英特尔公司的144层3D NAND闪存芯片可以处理每单元最多四位（QLC），并且可以配置为以较低的密度充当TLC或SLC。

英特尔将于今年晚些时候发布首款基于144层QLC NAND闪存芯片的SSD，该芯片代号为“ Keystone Harbor”。英特尔正在开发PLC（每单元5位）技术，该技术应将密度提高25％。英特尔也即将推出其第二代3D X点存储技术。

英特尔的第二代3D X点存储芯片将在物理介质上具有四层，而第一代中只有两层。基于新芯片的首个Optane产品的代号为“ Alder Stream”。该驱动器将于今年晚些时候以单端口版本启动，计划于2021年推出双端口版本。

该驱动器使用具有PCI-Express gen 4.0主机接口的高级新型控制器。“ Alder Stream”很可能会成为英特尔下一代大型至强“ Sapphire Rapids”处理器和“ Eagle Stream”平台的一部分，该平台具有PCIe gen 4.0。

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