镁光新加坡扩建3D NAND闪存晶圆厂完工启用

镁光在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂昨（14）日正式完工启用。镁光指出，这是因应5G、人工智能（AI）和自动驾驶等领域客户需求的策略，也是镁光新加坡闪存制造重镇转型的重要布局。新加坡是镁光闪存生产重要据点，台湾地区和日本则是动态随机存取存储器（DRAM）生产重心 ，近几年镁光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建镁光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为镁光的DRAM卓越中心。

全球半导体观察· 2019-08-15阅读量3918

铭瑄发布首款电竞之心SSD：国产主控+闪存，性能简直不要太彪悍！

铭瑄正式发布电竞之心M.2 NVMe SSD，性能品质双保证，使用纯国产方案的铭瑄电竞之心M.2 NVMe SSD，旨在成为电竞界的「新」势力。

2021-11-15阅读量4276

铠侠（东芝）开发新型闪存！！！

近日，铠侠株式会社（Kioxia Corporation）宣布开发出创新的储存单元结构“Twin BiCS FLASH”。该结构将传统3D闪存中圆形存储单元的栅电极分割为半圆形来缩小单元尺寸以实现高集成化。

闪德资讯· 2019-12-24阅读量2589

铠侠认为闪存需求5年增长3倍

铠侠表示，预计在AI蓬勃发展的推动下，到2028年的五年内对闪存的需求将增长约2.7倍。

2024-11-06阅读量10074闪存

铠侠率先推出下一代UFS嵌入式闪存

铠侠宣布提供业界首款嵌入式通用闪存（UFS）样品，该产品支持MIPI M-PHY V5.0。

2022-02-25阅读量3381闪存

铠侠推出面向汽车应用的UFS 3.1嵌入式闪存

铠侠今（31）日宣布，已经开始取样新型汽车UFS 3.1嵌入式闪存。

2022-03-31阅读量3627闪存

铠侠推出新型3.1版UFS嵌入式闪存设备，突破性能界限

全球存储器解决方案领导者宣布推出新一代256GB和512GB通用闪存(UFS) 3.1版嵌入式闪存设备的样品。新产品封装高度分别为0.8和1.0毫米，随机读取性能提高约30%，随机写入性能提高约40%，相比前代产品更轻薄、速度更快。

2021-08-12阅读量4971闪存

铠侠展示新款CXL协议存储新品，基于XL-Flash和BiCS闪存

在刚刚过去的FMS 2023上，铠侠展示了一款基于CXL + BiCS闪存的产品。

2023-08-14阅读量1747闪存

铠侠将建设新厂以扩大3D闪存生产能力

铠侠今（23）日宣布，将开始在其位于日本岩手县的北上工厂建设最先进的新制造工厂（Fab2），以扩大其专有的3D NAND Bics Flash™生产能力。

2022-03-23阅读量2893

铠侠宣布闪存扩产，3月份稼动率将恢复到90%左右

鉴于一直恶化的半导体市场在逐渐改善，铠侠宣布将审查自2022年以来的闪存减产计划，并扩大生产。

2024-03-01阅读量1895闪存