近日，业界知名的硬件拆解与分析机构TechInsights对Asgard（阿斯加特）最新的AN4 1TB SSD（基于PCIe 4.0标准的NVMe1.4产品）进行了拆解和分析，从中发现了来自长江存储的128层TLC 3D NAND Flash芯片，这是长江存储128层堆叠3D NAND闪存首次被发现商业应用，说明长江存储已在生产+出货相关产品了。
此前，据长江存储首席运营官程卫华9月14日参加行业活动时透露，长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗，128层QLC已经准备量产，TLC良率做到相当水准。从此次TechInsights拆解爆出的消息来看，其TLC良率或已达到出货、商用的水平了。
这款SSD产品采用了中国存储芯片制造厂商长江存储技术有限公司（YMTC）研发的新型3D NAND 128L Xtacking 2.0芯片，PCB板上包括4颗256GB NAND（YMTC）芯片和两颗512MB DDR4（南亚）内存芯片。
YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan长江存储512Gb 128L Xtacking 2.0 TLC芯片尺寸为60.42mm²，位密度增加到8.48Gb/mm²，相比Xtacking 1.0芯片（256Gb）提升了92%。由于长江存储Xtacking混合键合技术使用两片晶圆来集成3D NAND器件，因此我们可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。
YMTC 128L Xtacking 2.0 NAND Die平面图Xtacking架构旨在让长江存储在最大化其内存阵列密度的同时获得超快I/O，例如SSD的读取速度可以达到7500MB/s，写入速度为5500MB/s。该芯片还采用四平面设计，所有CMOS外围电路（如页面缓冲器、列解码器、电荷泵、全局数据路径和电压发生器/选择器）都放置在3D NAND单元阵列芯片下方的逻辑芯片上。
YMTC 3D NAND从32L到128L单元结构（WL方向的X截面SEM图像）长江存储128L Xtacking 2.0单元架构由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，这与铠侠112L BiCS 3D NAND结构相同。单元尺寸、CSL间距和9孔VC布局则保持与之前64L Xtacking 1.0单元相同的设计和尺寸（水平/垂直WL和BL间距）。门的总数为141（141T）个，包括用于TLC操作的选择器和虚拟WL。
YTMC 3D NAND架构对比：Gen1（32L），Gen2（64L，Xtacking 1.0），Gen3（128L，Xtacking 2.0）长江存储128L Xtacking 2.0上层有72个tungsten gates，下层有69个门。包括BEOL AI、NAND芯片和外围逻辑芯片在内的金属层总数为10，这意味着与64L Xtacking 1.0工艺集成相比，它的外围逻辑芯片中增加了两个铜金属层。而通道VC孔高度增加了一倍，为8.49µm。
长江存储、三星、美光、SK海力士128L 512Gb 3D NAND架构对比与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比，长江存储128L Xtacking 2.0裸片尺寸要比它们小，这使其位密度最高。四平面芯片布局和双层阵列结构与美光和SK海力士相同，但每串选择器和虚拟WL的数量为13个，比美光和SK海力士小（两者均为147T）。此外，由于采用Xtacking混合键合技术，其使用的金属层数远高于其他产品。最后，TechInsights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。
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