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闪存
”搜索结果为 246 条
铠侠宣布
闪存
扩产,3月份稼动率将恢复到90%左右
鉴于一直恶化的半导体市场在逐渐改善,铠侠宣布将审查自2022年以来的闪存减产计划,并扩大生产。
2024-03-01
阅读量
1735
闪存
铠侠Fab7工厂引入先进人工智能制造系统,支持第六代3D
闪存
的生产
据铠侠官网消息,铠侠(Kioxia)在日本三县的Yokkaichi工厂为其最先进的半导体制造工厂(Fab7)举行了奠基仪式。该工厂将是世界上最先进的制造工厂之一,致力于生产其专有的3D闪存BiCS FLASHTM。铠侠的Fab7工厂将具有减震结构和环保设计,其中包括节省的制造设备。
闪德资讯· 2021-03-01
阅读量
4017
铠侠3D
闪存
材料遭污染,影响日两厂生产
由于用于闪存生产的材料遭污染,铠侠在日本的两家生产工厂的生产受到了影响,目前正努力恢复正常运作。
2022-02-10
阅读量
2685
闪存
铠侠/西数Fab7工厂竣工,预计明年出货162层
闪存
26日,铠侠和西部数据两家公司共同庆祝在日本四日市工厂最先进的半导体制造工厂Fab7竣工。
2022-10-27
阅读量
5203
闪存
金士顿推出IronKey D500S
闪存
盘
2023-09-12
阅读量
2048
配备EUV光刻机!三星平泽P3
闪存
芯片生产线开始运营
三星电子宣布位于平泽区P3工厂的NAND Flash产线已正式开始运营。
2022-09-09
阅读量
2707
这家企业全
闪存
产品中标中国移动
近年来,全闪存产品得到了很多客户的认可,尤其是三大运营商,近日,中国移动发布了其全闪存存储产品集中采购中标结果,国内知名的存储企业浪潮成功中标。
闪德资讯· 2021-01-30
阅读量
2891
闪存
迎接高密度NAND
闪存
联芸实现4K LDPC纠错技术突破
追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代,跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进,并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术
2020-04-14
阅读量
3363
达不到要求?三星放弃为3D NAND
闪存
寻找新的光刻胶供应商
据韩国电子产业媒体The Elec 9月21日报道,三星已经取消了增加光刻胶供应商的计划。
2022-09-22
阅读量
3051
闪存
让芯片加工从平面走向立体 长江存储全球首创三维
闪存
研发技术
致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日,长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度,同时缩短产品研发周期。
湖北日报· 2018-10-29
阅读量
3162
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