三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

三星电子21日宣布第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。

中国IC交易网· 2019-03-22阅读量3200

三星电子危机重重，下个月展示DRAM最新产品

2024-02-27阅读量1968

三星电子加强DRAM生产

三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。

2024-07-22阅读量1715DRAM

三星电子专注扩建DRAM生产线

2024-03-15阅读量2272

三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速

韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

2023-03-13阅读量2427DRAM

三星电子1a DRAM性能太落后了

三星电子在DRAM技术领域第一的地位受到极大动摇的点就是1a DRAM。

2024-10-16阅读量1826DRAM

三星率先采用DRAM浸没式冷却技术

生成式人工智能的迅猛崛起引发了对计算能力的巨大需求，存储器行业技术竞争激烈。

2025-04-09阅读量1325

三星新DRAM产线明年6月投产

三星电子内部已确认在平泽P4工厂建设1c nm DRAM产线的投资计划，目标明年6月投入运营。

2024-08-13阅读量1707DRAM

三星推出速度最快的LPDDR5X DRAM

2024-04-18阅读量2509

三星推出业界首款24Gbps GDDR6 DRAM，采用1z nm工艺

三星电子14日宣布，已开始提供业界首款16Gb GDDR6 DRAM，其处理速度为24Gbps。

2022-07-15阅读量3092DRAM