长鑫存储公开「光刻设备」专利

近日长鑫存储技术有限公司公开多项专利，其中一条名称为「光刻设备」，公开号为CN114280891A

2022-04-08阅读量2977存储

长鑫存储公布「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利

长鑫存储技术有限公司「一种控制方法、半导体存储器和电子设备」专利公布

2023-10-13阅读量2401存储

长鑫存储「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司「集成电路电容器及其制造方法、半导体器件」专利获授权，授权公告日为7月4日，授权公告号为CN108511425B。

2023-07-07阅读量1570存储

长鑫存储“晶圆测试机构及其制作方法、晶圆”专利获授权

2023-09-16阅读量2033存储

长鑫&长江存储双双入选Silicon 100，全球最受关注

《EE Times》发布了其最新一期的「Silicon 100」名单，选出了全球最值得关注的100家半导体初创公司名单，编列为《Silicon 100：Startups to Follow in 2022》。

2022-08-15阅读量3418存储

长江存储预告全新国产3D闪存：前所未有高性能

作为3D NAND闪存产业的新晋者，长江存储今年将第一次参加行业权威的闪存峰会(Flash Memory Summit)，并首次公开披露即将发布的突破性技术Xtacking。

快科技· 2018-10-29阅读量3575

长江存储进「实体清单」，三星3D NAND涨价10%能否得逞？

三星逆势调涨3D NAND Flash价格，涨幅高达10%。据外媒Tomshardware报道，这与长江存储被美国商务部列入未核实清单（UVL）有关

2022-12-22阅读量3408存储

长江存储签下重要专利许可协议；台积电Q3营收创新高，2/3nm不惧三星竞争，日本建厂金额拉高25%

长江存储与Xperi达成3D NAND技术专利许可；台积电三季度营收148.8亿美元，净利润超过50亿美元

2021-10-15阅读量3713存储

长江存储杨士宁：摩尔定律时代已结束，三维集成是未来

在2021年中国集成电路制造年会暨供应链创新发展大会上，长江存储CEO杨士宁表示，摩尔定律已经结束了，未来三维集成会是最重要赛道。

2021-11-03阅读量3789存储

长江存储明年量产64层堆栈3D闪存，2020年直奔128层堆栈

2018年NAND闪存价格由涨转跌，NAND闪存价格至少跌了50%，主要原因是64层3D NAND闪存堆栈产能大幅增加，市场供应大增，今年底三星、东芝等公司又推出了96层堆栈的3D NAND闪存，2019年将是量产的主力。

超能网· 2018-11-17阅读量4990