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韩媒：中国自主研发NAND闪存将量产 对韩企形成威胁
据韩国中央日报8月9日报道，中国在存储芯片领域展开了空袭。在被视为半导体起源地的美国硅谷举行的半导体大会上，中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)宣布，将从明年开始向市场供应32层三维NAND闪存(以下简称NAND)，并公开了自主三维NAND量产技术。
2018-10-30
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东芝96层QLC闪存明年量产：1500次P/E、M.2可到20TB
在此次闪存峰会上，东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash，也就是QLC闪存。BiCS4即第四代BiCS 3D闪存，从BiCS3的64层堆叠提升到96层。时间节点和技术指标方面，BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产，单芯片的容量可达1.33Tb，基于U.2形态的模组可以做到85TB，基于M.2 22110可以做到20TB，相当恐怖。
2018-10-30
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SK海力士宣布推出全球首款4D闪存：可制造64TB SSD
闪德资讯8月8日消息 目前在美国正在举办Flash Memory Summit，各家存储设备厂商都开始介绍自家的最新产品。其中SK海力士就宣布推出全球首款4D闪存，未来可以制造容量高达64TB的U.2 SSD。
2018-10-30
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美光力推数据中心上QLC SSD：性能是万转机械盘4倍
今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写，即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方，它有三大好处，提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期。
2018-10-30
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携手Everspin：IBM为19TB NVMe SSD引入MRAM
据外媒报道，IBM 正在摆脱传统需要电容支持的 DRAM，转而推进面向下一代闪存系统的磁阻存储器（MRAM）技术。 AnandTech 指出，MRAM 是当前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存储器之一。只是与 NAND 闪存（甚至英特尔的 3D XPoint 存储器）相比，其密度相对更加受限。
2018-10-30
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大搞硅晶圆制造这么多年，本土企业能否让我们在中美贸易战中扬眉吐气？
作为制造半导体产品的核心材料，硅晶圆的重要性不言而喻。目前在半导体硅晶圆市场，国外巨头占据了主要的市场份额，前五大厂商占据全球90%以上份额。而国内大陆地区也仅仅对8英寸及以下的硅晶圆制造技术有所掌握，12英寸及以上规格的硅晶圆则几乎全部依靠进口。
2018-10-30
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长江存储3D NAND架构Xtacking揭秘：I/O速度看齐DDR4
谈到NAND闪存，或者说以它为代表的SSD产品，多数人对速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其实闪存芯片也有内部接口，LGA/BGA都有引脚，所以就有引脚带宽，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解为内频。
2018-10-30
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让芯片加工从平面走向立体 长江存储全球首创三维闪存研发技术
致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日，长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度，同时缩短产品研发周期。
2018-10-29
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NAND供应过剩问题显现，三星过度依赖半导体令人担忧
传闻2018年下半NAND Flash价格将下跌超过10%，加上韩国、美国、日本等存储器大厂争相启动设备投资，加速市场提前进入供给过剩，后续发展恐影响业者获利，尤其半导体事业比重偏高的业者更须留意。
2018-10-29
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三星宣布量产4-Bit QLC SSD，最高容量达到4TB
近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。
2018-10-29
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