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NAND供应过剩问题显现，三星过度依赖半导体令人担忧
传闻2018年下半NAND Flash价格将下跌超过10%，加上韩国、美国、日本等存储器大厂争相启动设备投资，加速市场提前进入供给过剩，后续发展恐影响业者获利，尤其半导体事业比重偏高的业者更须留意。
2018-10-29
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三星宣布量产4-Bit QLC SSD，最高容量达到4TB
近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。
2018-10-29
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SSD新案大增5成慧荣下半年有甜头
慧荣科技公布2018年第二季营收达1亿3,806万美元，较上一季成长6％，与去年同期相比成长4％。第二季毛利率47.5％，税后净利3,319万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余0.92美元。
2018-10-29
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TB级大容量低价SSD即将到来，三星率先量产消费级QLC SSD
来自今天早间的最新消息，三星率先量产了消费级QLC SSD。QLC这一被业界寄予厚望的NAND颗粒终于要进入消费级市场——这意味着大容量的廉价SSD产品将被真正普及，传统的机械硬盘将在普通消费者的电脑中被大面积替代。
2018-10-29
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28nm工艺不落伍，联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片
虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺，不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰，在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程，28nm工艺就是其中的一个，即便是台积电，28nm工艺带来的营收依然是大头，营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域，他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。
2018-10-29
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DDR3价格松动 由涨转跌
继储存型快闪存储器（NAND Flash）价格走跌之后，原本报价尖挺的DRAM也开始松动，其中，连续八季涨价的DDR3率先走跌，台湾包括晶豪科、南亚科等业者都以DDR3为主要产品，将首当其冲。
2018-10-29
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旗舰机采用UFS替代eMMC 慧荣SSD新案大增5成
慧荣科技公布2018年第二季营收达1亿3,806万美元，较上一季成长6％，与去年同期相比成长4％。第二季毛利率47.5％，税后净利3,319万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余0.92美元。
2018-10-29
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长江存储预告全新国产3D闪存：前所未有高性能
作为3D NAND闪存产业的新晋者，长江存储今年将第一次参加行业权威的闪存峰会(Flash Memory Summit)，并首次公开披露即将发布的突破性技术Xtacking。
2018-10-29
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三星宣布量产4Bit QLC SSD
8月7日消息 很显然从今年开始，厂商们都开始将目光转向了QLC闪存，之前Intel就已经推出了首款搭载QLC闪存的SSD，而现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC闪存的SSD，这些SSD从1TB起步，共有1TB、2TB和4TB三种规格。
2018-10-29
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台积电：电脑病毒事件将减少Q3营收3％、周一全面复产
据外媒8月6日报道，全球最大芯片代工商台积电上周日称，近日爆发的电脑病毒入侵事件已经冲击到了公司第三季度业绩。
2018-10-29
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