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NAND flash和NOR flash在软件支持方面的差别
NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8个，比NOR要少多了。这区区 8个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR闪存要差。
2018-11-03
浏览量2545
NAND、NOR闪存的基本原理
无论NAND还是NOR，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。
2018-11-03
浏览量3465
NAND型闪存技术原理
闪存卡一般采用两种不同类型的NAND闪存:1.SLC全称为Single-Level Cell 2.MLC全称为Multi-Level Cell
2018-11-03
浏览量3065
闪存（Flash Memory）的技术特性
闪存(Flash Memory)是非掉电易失性内存的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又具备掉电易失性内存可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。
2018-11-03
浏览量6630
SSD固态硬盘的寿命
固态硬盘在原理构造上基本上和我们应用普通机械硬盘有很多相似的地方，比如模拟扇区、模拟磁道等。在固态硬盘内部，最核心的部分就算控制器了，它是整个固态硬盘的核心，里面包括很多构架，比如读写算法、接口定义等。
2018-11-03
浏览量2899
黑闪存芯片专题解说
黑闪存芯片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标，和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来，现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本。
2018-11-03
浏览量2936
什么是晶圆？
在半导体的新闻中，总是会提到以尺寸标示的晶圆厂，如8 寸或是12 寸晶圆厂，然而，所谓的晶圆到底是什么东西？其中8 寸指的是什么部分？要产出大尺寸的晶圆制造又有什么难度呢？以下将逐步介绍半导体最重要的基础——「晶圆」到底是什么。
2018-11-03
浏览量3206
wafer、die、chip的区别
一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。
2018-11-03
浏览量3797
一片晶圆可以切割出多少的晶片数目？
一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目？这个要根据die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。
2018-11-03
浏览量4689
随着3D NAND产出的增加，2018年全球SSD出货量有望冲刺2亿台
随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-11-02
浏览量3204
