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NAND Flash市场供货量增加，综合价格指数已累计下滑28%
随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die，以及提高新工厂的产出量，2018年三星将全面向3D NAND普及，美光预计2018年全球NAND Flash市场bit供应量会高于45%，而美光会高于行业水平，西部数据64层3D NAND在2018年Bit产出量将超过70%。
2018-11-02
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NAND Flash均价Q3续跌10％
包括三星、东芝等大厂的3D NAND新产能持续开出，让下半年NAND Flash市场持续供过于求，第三季NAND Flash平均价格将再续跌约10％，但可望有效带动智慧型手机拉高搭载容量至512GB，固态硬碟（SSD）市场渗透率也可望提升。
2018-11-02
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如何判断NAND Flash品质
NAND Flash厂商主要是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）/闪迪（SanDisk）、美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）5家大厂，原厂生产出来的Wafer按照品质差异、封装测试形成市面上所谓的原装片、自封品牌、白片、黑片等代名词。
2018-11-01
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eMCP为何在中低端智能型手机中被广泛应用？
原本UFS应该从手机高端市场向中低端市场扩大普及，但因为2016年NAND Flash市场缺货，导致eMMC和UFS价格水涨船高，其中eMMC价格最高累计涨幅超过60%，同时也拉大了eMMC与UFS之间的价差。考虑到成本的因素，大部分的中、低端手机依然以eMMC/eMCP为主流存储方案。
2018-11-01
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LDPC在SSD中的重要性
最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit，叫SLC，后来又有了MLC，现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时，器件尺寸变小，存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄，比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等，总的来说，NAND flash更容易出错了，或者说NAND 上的噪声增加了。
2018-11-01
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USB 3.2全球首演：速度再翻番达20Gbps
USB 3.1 Gen.2接口已经广泛普及，10Gbps(1.25GB/s)的高带宽已经相当充裕，但技术进步没有极限，新一代USB 3.2标准规范其实在2017年9月底就正式公布了，Synopsys(新思科技)现在第一次公开演示了USB 3.2。本次演示的USB 3.2设备和主机基于HAPS-80 FPGA硬件原型平台，USB PHY物理层采用FinFET工艺制造，每个通道带宽10Gbps，双通道合力达到所需的20Gbps(2.5GB/s)，相比于USB 3.1 Gen.2翻了一番。
2018-11-01
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从沙子到Wafer，都经历了哪些环节？
从沙子到Wafer，都经历了哪些环节？
2018-11-01
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SATA 3.4标准正式发布
SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范，重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性，对性能影响极小。SATA-IO表示，存储行业一直希望获得更好的性能、可靠性、兼容性，为此SATA 3.4标准增加了多个新的特性来满足需求
2018-11-01
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东芝Flash颗粒编号信息
东芝Flash颗粒编号信息
2018-11-01
浏览量2909
SSD Trim 详解
SSD就是固态硬盘，相对于传统机械硬盘HDD，除了使用不同的存储介质（NAND Flash）外，SSD在使用上和HDD并没有太多差异，他实现的功能仍是有行业标准的。
2018-11-01
浏览量2649
