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国产氮化镓材料5G芯片 在芜试制成功
作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
2019-02-22
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DRAM容量需求带动有限，2019年市况恐较NAND悲观
经历两年存储器荣景之后，2018年消费类NAND Flash价格大跌65%，且已影响Flash原厂Q4获利。同时，DRAM市场价格也明显下滑，再加上智能型手机、PC等整体出货下滑的影响，以及搭配的DRAM容量升级迟缓，预计2019年DRAM市况较NAND Flash悲观。
2019-02-21
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美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人
存储器大厂美光科技（Micron）将扩大台湾DRAM卓越中心营运规模，除了在今年将桃园厂（原华亚科）及台中厂（原瑞晶）制程升级至1y纳米，台中厂旁的封测厂也展开先进技术开发及扩产。台湾美光存储器董事长徐国晋表示，DRAM卓越中心除了制造能力提升，更是技术及产品研发中心，美光台湾员工已逾7,000人，今年将再招募千人，希望年底能达8,000人规模。
2019-02-21
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LPDDR5内存标准正式发布：速度翻番至6400Mbps、功耗降低
2月20日，JEDEC（固态存储协会）正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。
2019-02-21
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筹措设备投资资金！传TMC将于9月IPO
2月20日，据多位关系人士透露，从东芝（Toshiba）独立、2018年6月卖给美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）为主的「日美韩联盟」的全球第二大NAND型快闪存储器（Flash Memory）厂商「东芝存储器」（TMC）已着手进行准备，计划今年9月IPO，预估TMC上市后市值将超过2兆日圆。
2019-02-21
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DRAM价跌 华邦、南亚科有压
今年上半年DRAM市场仍供过于求，价格持续下跌，不仅本季价格跌幅将超过二成，下季仍持续看跌15%，相当于上半年累计跌价幅度超过三成，比市场原预期更悲观，华邦（2344）、南亚科等晶片厂，以及模组厂威刚、宇瞻等，营运将面临下修压力。
2019-02-20
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DRAM供过于求，第1季的跌幅将超两成，第2季报价恐再跌15%
2017年和2018年，DRAM都是增长速度最快的市场。在这高速发展的两年内，内存行业三巨头三星、美光和SK海力士通过扩大产能缓解了急需的市场供应需求。2019年，市场对于DRAM有何预期呢？2019 年上半年 DRAM 产业仍处于供过于求的状态，导致价格持续下跌。第一季受淡季效应影响，加上由去年第四季递延至今的库存水位仍然偏高，因此买方拉货意愿依旧疲软，光是 1 月份各产品别的价格跌幅都已经超过 15%，预计 2、3 月价格将续跌，整体第1季的跌幅将超过两成，而服务器存储器跌幅更可能扩大至近三成。
2019-02-20
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耕耘车用市场有成 旺宏元月营收月增逾1成
非挥发性快闪存储器大厂旺宏公告元月营收月增10.6%达新台币22.60亿元，表现略优于市场预期。旺宏过去几年积极耕耘车用存储器市场有成，今年车用NOR/NAND Flash出货持续放量，全球每台新车都有内建旺宏芯片；同时，旺宏今年亦将强攻19纳米SLC NAND及eMMC市场，已获得许多客户青睐。旺宏亦投入3D NAND研发，预期2021年开始出货。
2019-02-20
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新产能Q2后发酵 NAND Flash跌价压力仍在
由于NAND Flash价格去年大跌，导致三星、SK海力士、东芝及西数、美光及英特尔等四大阵营在去年底减少晶圆产出，下修今年资本支出并推迟96层3D NAND扩产计划，的确让第一季NAND Flash价格出现缓跌情况。不过，随着上游原厂96层3D NAND新产能将在第二季后开出，加上三星、美光、东芝等新厂在下半年量产，业界预估供给过剩及跌价压力仍在。
2019-02-19
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今年SSD要一降到底？别错了时机
“2018NAND flash市场供过于求，导致消费类跌幅过半，严重影响了企业利润，那么2019年NAND Flash市场如何发展？会像消费者期待的那样延续2018年的走势吗？各巨头采取的对策能否奏效？”
2019-02-19
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