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价量齐跌 NAND Flash厂Q1营收恐持续走弱
去年第4季NAND Flash整体位元出货量表现，低于预期，使品牌商营收较前一季衰退16.8%，今年第1季进入传统淡季，需求更趋疲弱，主要供应商为维持市场占有率，将祭出更优惠价格，整体NAND Flash营收恐受到价量齐跌拖累，而持续走弱。
2019-02-22
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5G手机爆发在即，WD推出UFS3.0:采用96层3D NAND
西部数据（Western Digital）宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择，目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。此外，西部数据先进的iNAND SmartSLC Generation 6，助力写入速度高达750MB/s，可在3.6秒内完成2小时的电影下载，连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。
2019-02-22
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群联：NAND价格5月反弹
群联（8299）董事长潘健成指出，通路商和系统厂库存降到极低水位，备货需求逐步拉升，加上主要记忆体大厂减产效应显现，预测NAND Flash价格5月将反弹，群联首季将持续采取积极备货策略，迎接今年固态硬盘（SSD）商机爆发。
2019-02-22
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SK海力士计划投资1070亿美元建设四座半导体厂
据报道，SK海力士周四表示，计划投资120万亿韩元（约1066.6亿美元）用于在韩国新的产业园区建设四座半导体工厂。SK海力士在声明中表示，该公司已经提交了投资意向书，一旦获得批准，将有超过50家国内外的供应商入驻首尔以南40公里的龙仁地区。
2019-02-22
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索尼加强图像传感器等芯片业务：投入40%新招工程师
索尼公司表示，接下来两年，公司将把在日本新招聘的40%工程师分配给图像传感器等芯片业务。目前，索尼正从汽车、手机等新应用场景中寻找增长点。
2019-02-22
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国产氮化镓材料5G芯片 在芜试制成功
作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
2019-02-22
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DRAM容量需求带动有限，2019年市况恐较NAND悲观
经历两年存储器荣景之后，2018年消费类NAND Flash价格大跌65%，且已影响Flash原厂Q4获利。同时，DRAM市场价格也明显下滑，再加上智能型手机、PC等整体出货下滑的影响，以及搭配的DRAM容量升级迟缓，预计2019年DRAM市况较NAND Flash悲观。
2019-02-21
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美光扩大台湾DRAM卓越中心 欲新招募千人
存储器大厂美光科技（Micron）将扩大台湾DRAM卓越中心营运规模，除了在今年将桃园厂（原华亚科）及台中厂（原瑞晶）制程升级至1y纳米，台中厂旁的封测厂也展开先进技术开发及扩产。台湾美光存储器董事长徐国晋表示，DRAM卓越中心除了制造能力提升，更是技术及产品研发中心，美光台湾员工已逾7,000人，今年将再招募千人，希望年底能达8,000人规模。
2019-02-21
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LPDDR5内存标准正式发布：速度翻番至6400Mbps、功耗降低
2月20日，JEDEC（固态存储协会）正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s（DRAM速度6400Mbps），直接翻番。
2019-02-21
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筹措设备投资资金！传TMC将于9月IPO
2月20日，据多位关系人士透露，从东芝（Toshiba）独立、2018年6月卖给美国私募基金贝恩资本（Bain Capital）为主的「日美韩联盟」的全球第二大NAND型快闪存储器（Flash Memory）厂商「东芝存储器」（TMC）已着手进行准备，计划今年9月IPO，预估TMC上市后市值将超过2兆日圆。
2019-02-21
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