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SK海力士：正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机
关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。
2021-11-24
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业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量
据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。
2021-11-24
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推动开放计算发展，SM8266主控芯片支持Open Channel与ZNS
SM8266作为慧荣科技旗下旗舰级数据中心主控芯片，针对更高数据吞吐量的大型数据中心设计。
2021-11-23
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内存为什么要组双通道？看完这篇你就懂了！
我们在购买内存条的时候往往会看到有16GB单条和8GBx2的套装可选，既然容量都一样，为什么商家还要这样差别设置，且套条的价格往往还比单条贵上一些。
2021-11-23
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威固信息推出首款全国产单芯片存算一体固态存储
近期，上海威固信息技术股份有限公司成功研发出首款全国产单芯片存算一体固态存储器——威固®SC10系列SCSSD。
2021-11-22
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群联潘健成：2022闪存容量需求将大幅成长
NAND Flash主控厂群联执行长潘健成在近日指出，市场对于闪存需求走跌态势太过悲观，从当前来看，2022年闪存整体市场容量需求将会再成长1.5~1.8倍，预期群联最快2022年上半年库存将会不足以因应市场需求，未来针对5G、电动车等新兴应用，闪存容量需求将看不到天花板。
2021-11-22
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高盛调涨明年晶圆代工报价预期
外资高盛证券最新半导体研究报告指出，半导体市场明年仍延续供给吃紧盛况，晶圆代工涨价行情也会比预期好，该机构上调明年首季晶圆代工业者报价涨幅预估，由原预估的5%内，提升为5%至10%，亦即涨幅有机会比预期高一倍，台积电、联电、世界先进等业者将受惠。
2021-11-22
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消息人士：前3大DRAM供应商总产能明年持平
由于专注于工艺技术转型，而不是安装新设备和设施以扩大产能，全球前3大DRAM供应商的总产能将在2022年持平或仅微幅增加。
2021-11-22
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因美国阻拦，SK海力士无锡厂引入光刻机受挫
SK海力士原定升级改造旗下无锡厂生产线，预计引进荷兰ASML最新EUV光刻机，提高存储芯片生产效率的计划，因受到美国阻拦而受挫。
2021-11-19
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中国厂商进军DDR3市场，长鑫存储11月供货兆易创新
三星、金士顿等内存厂商已经在向DDR5迈进，老旧的DDR3产线已经逐渐淘汰。但是中国存储厂商却看准这个机会，加大进军DDR3市场的步伐。
2021-11-19
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