据闪德资讯获悉，三星电子在英伟达GPU技术大会上，展示了从高性能内存到面向个人设备低功耗解决方案全系产品。

在个人设备领域，三星展示了针对本地AI工作负载优化内存解决方案，包括为英伟达DGX Spark配备的三星PM9E3和PM9E1 NAND产品。

三星还展出了面向高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备LPDDR5X和LPDDR6 DRAM解决方案。

其中LPDDR5X每引脚速度最高可达25Gbps，同时功耗降低15%。

LPDDR6将带宽进一步提升至每引脚30-35Gbps，并引入自适应电压调节和动态刷新控制等高级电源管理功能，为下一代端侧AI工作负载提供性能支持。

展会上的核心亮点是三星第六代HBM4内存，采用了第六代10nm DRAM工艺，该产品现已进入量产阶段，专为英伟达的Vera Rubin 平台设计。

三星HBM4可提供11.7Gbps稳定处理速度，超过业界标准8Gbps，并可进一步提升至13Gbps。

三星还首次展示了其下一代HBM4E。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0TB/s。

三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

三星还在展台上集中展示与英伟达双方深度合作成果，包括HBM4、SOCAMM2以及PM1763 SSD。

三星SOCAMM2基于低功耗DRAM设计，是一款针对下一代AI基础设施优化服务器内存模块，兼具高带宽和灵活系统集成能力。三星已实现该产品量产，成为业内首家达成这一里程碑企业。

面向下一代AI存储解决方案三星PM1763 SSD采用最新PCIe 6.0接口，提供高速数据传输和大容量存储。

该产品将在基于英伟达SCADA编程模型服务器上进行现场演示。此外，作为Vera Rubin平台加速存储基础设施参考架构一部分，三星PM1753 SSD也将展示其在推理工作负载中提升能效和系统性能能力。

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