据闪德资讯获悉，在英伟达GPU技术大会（GTC）中，美光宣布旗下多款存储产品已同步进入大规模量产阶段，均围绕英伟达Vera Rubin平台设计。

美光表示，其HBM4产线已于今年第一季度开始量产并出货，首批产品为36GB 12层堆叠版本，专为Vera Rubin平台打造。

该产品引脚速率超过11Gb/s，可提供超过2.8TB/s内存带宽，相比上一代HBM3E提升约2.3倍，同时功耗效率提升超过20%。

美光透露，目前已向客户提供16层堆叠48GB HBM4早期样品。

与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM可用内存容量。

美光同时宣布其SOCAMM2内存模块已进入大规模量产阶段，其中192GB容量版本将用于Vera Rubin NVL72系统以及独立Vera CPU平台。

该模块可为单颗CPU提供最高2TB内存容量和1.2TB/s带宽，整个SOCAMM2产品线容量范围覆盖48GB至256GB，以满足不同规模AI服务器配置需求。

在存储产品方面，美光宣布其Micron 9650 SSD已正式量产，这款数据中心SSD硬盘采用PCIe Gen 6接口，是业内首款专门针对英伟达BlueField‑4 STX架构优化设计SSD。

具体规格方面，Micron 9650顺序读取速度最高可达28GB/s，随机读取性能可达550万IOPS，相比上一代PCIe Gen 5 SSD读取性能几乎翻倍，单位功耗性能也实现了约两倍提升。

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