海派世通FlashXE可实现3D NAND最大可靠性

FlashXE是一种功能集，包括广泛的校准，纠错恢复，错误避免和刷新机制，以确保基于NAND闪存的存储系统的最大可靠性

中国IC交易网· 2019-03-30阅读量1882

旺宏：晶圆5厂制程升至19nm，同时投入3D NAND研发

旺宏董事会12月24日决议通过，将与 IBM 签订合约，继续共同进行相变存储器的开发工作，双方将共同分担研发费用，预计对长期技术竞争力将产生正面影响。合约计划期间为2019年 1 月 22 日至 2022 年 1 月 21 日。

中国IC交易网· 2018-12-25阅读量2392

旺宏预计32层3D Nor flash年底进入市场

2023-08-05阅读量1501

旺宏电子将于明年下半年量产48层3D NAND

旺宏电子（Macronix）在本月9日举办的30周年庆典活动中，公司董事长吴敏求（Miin Wu）表示将于2020年下半年开始量产48层3D NAND存储器，并且已经收到了客户（外界推测应该是任天堂）的订单。此外他还表示公司计划在2021年量产96层，在2022年量产192层3D NAND存储器。

cnbeta· 2019-12-12阅读量2797

旺宏杀入3D NAND！

台湾的专用存储解决方案制造商Macronix（旺宏）是全球最大的只读记忆体生产制造公司，并提供跨越广泛规格及密度的NOR Flash产品，主要应用于消费、通讯、电脑、汽车电子等相关领域。

SSDFans· 2020-03-14阅读量2404

新兴的2.5D/3D先进封装集成工艺主要用来做什么？

新兴的2.5D和3D技术有望扩展到倒装芯片和晶圆级封装工艺中。通过使用硅中介层（Interposers）和硅通孔（TSV）技术，可以将多个芯片进行垂直堆叠。

2022-07-08阅读量14431

投资130亿元，国产公司发力PCM相变存储，2021推3D XPoint芯片

​作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。

超能网· 2018-12-06阅读量1999

技术前沿 | DRAM注定是3D的，从材料角度看3D DRAM将不同于3D NAND

​3D DRAM的普及和量产可能需要几年时间，但DRAM可能会跟随NAND的步伐并走向3D，这意味着它将需要新的制造设备和材料来经济高效地进行生产。

2021-05-12阅读量2381

打破世界垄断，国内首款128 层QLC 3D闪存第一次正式亮相

存储作为国家重点扶持的产业，是我国发展信息化的核心技术。随着国产化替代加速，中国存储需要依靠完整的制造业产业链建立中国经济圈，存储国产替代成为重中之重。在CITE 2020上展示的国产顶级产品，只是中国存储崛起的一个缩影，相信未来还会有更多新品推出。

闪德资讯· 2020-08-15阅读量2588

打破三星独霸！3D NAND flash群雄并起

记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。

电子发烧友网· 2018-12-14阅读量2377