旺宏:晶圆5厂制程升至19nm,同时投入3D NAND研发

转载: 中国IC交易网 2018-12-25
阅读量 2354

旺宏董事会12月24日决议通过,将与 IBM 签订合约,继续共同进行相变存储器的开发工作,双方将共同分担研发费用,预计对长期技术竞争力将产生正面影响。合约计划期间为2019年 1 月 22 日至 2022 年 1 月 21 日。

20181225104023160344.jpg

相变存储器(Phase-change memory,PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。

早在 2015 年旺宏就曾与 IBM 共同发表一颗 512Mb 容量的相变存储器样品。PCM 具备包括读写速度快、耐用、写入次数极高 (至少 1000 万次)、微缩性良好等优势,被预期将在存储产业的未来发展中扮演重要角色,包括手机、计算机与人工智能产业等均可因此受益。

除与 IBM 签订合约外,旺宏董事会也通过了2019年新增经常性资本支出预算新台币 8.65 亿元。

旺宏董事会于今年10月22日决议通过新增资本支出预算达新台币142.03亿元,预计自2018年第4季起陆续投资,以因应公司12吋晶圆厂之高阶产能提升及研发需求。

旺宏预计资本支出预算扩增至新台币142.03亿元,董事长吴敏求于上季法说会时表示,将主要把晶圆5厂的制程从36nm升级至19nm,强化NAND Flash竞争力,同时将投入3D NAND Flash研发。

1.本文整理自网络,如有侵权,请联系删除。

2.所刊内容仅代表作者观点,非闪德资讯立场。

我的评论

登录后评论

最新评论

渠道报价
查看更多

DDR3

  • 一年
  • 半年
  • 三个月
  • 一个月

微信订阅

APP下载

存储未来,赢得先机

18126200184

Copyright©2008-2024 闪德资讯 版权所有 粤ICP备18080549号-1

粤公网安备 44030402002744号