旺宏董事会12月24日决议通过,将与 IBM 签订合约,继续共同进行相变存储器的开发工作,双方将共同分担研发费用,预计对长期技术竞争力将产生正面影响。合约计划期间为2019年 1 月 22 日至 2022 年 1 月 21 日。
相变存储器(Phase-change memory,PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
早在 2015 年旺宏就曾与 IBM 共同发表一颗 512Mb 容量的相变存储器样品。PCM 具备包括读写速度快、耐用、写入次数极高 (至少 1000 万次)、微缩性良好等优势,被预期将在存储产业的未来发展中扮演重要角色,包括手机、计算机与人工智能产业等均可因此受益。
除与 IBM 签订合约外,旺宏董事会也通过了2019年新增经常性资本支出预算新台币 8.65 亿元。
旺宏董事会于今年10月22日决议通过新增资本支出预算达新台币142.03亿元,预计自2018年第4季起陆续投资,以因应公司12吋晶圆厂之高阶产能提升及研发需求。
旺宏预计资本支出预算扩增至新台币142.03亿元,董事长吴敏求于上季法说会时表示,将主要把晶圆5厂的制程从36nm升级至19nm,强化NAND Flash竞争力,同时将投入3D NAND Flash研发。
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