东芝在Q4扩大96层3D NAND产品出货量，各家原厂在96层和QLC技术上的竞争愈发激烈

随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量2440

东芝与西数正在研发128层堆叠3D TLC，写入速度翻倍

今年64层堆叠的3D TLC闪存已经是SSD市场的绝对主流，用96层堆叠闪存的SSD也开始上市了，厂商们已经向更高层的128层堆叠进军，在年初的2019闪存峰会上SK海力士还有国内的长江存储已经宣布了他们的开发计划，现在东芝与西数的128层堆叠闪存计划也泄露了出来。

超能网· 2019-03-11阅读量2567

东芝与西数合资新晶圆厂开幕 已量产新一代96层3D NAND Flash

日本存储器大厂东芝存储器（Toshiba Memory Corporation）与西数（Western Digital）于19日宣布，共同在日本三重县四日市的6号晶圆厂（Fab 6）举行开幕仪式。该厂为新设先进半导体制造厂区，并设有存储器研发中心（Memory R&D Center）。

TechNews科技新报· 2018-10-31阅读量2502

东芝-西数联盟， 西数3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

爱集微· 2019-12-12阅读量5610

东京电子成功开发出400层以上的3D NAND技术

东京电子（TEL）近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

2023-06-12阅读量14833D NAND

东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量1417NAND

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。

2021-11-24阅读量26483D NAND

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量13813D NAND

三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速

韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

2023-03-13阅读量17613D

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2285