三星跳电事件激励买方预期性补货，2020年第一季 DRAM合约价起涨

根据某机构最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。因此，机构再次修正 2020 年第一季 DRAM 合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

集邦· 2020-01-09阅读量2898

三星计划扩大DRAM产能

2024-07-01阅读量1756

三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术

据韩媒Thelec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。

2024-03-04阅读量1437

三星研发首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

2023-05-13阅读量1855

三星电子调整DRAM研发策略

三星电子已开始建设10nm第7代DRAM（1d DRAM）测试线，并准备开发10nm第8代DRAM（1e DRAM）。

2024-12-31阅读量1637

三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

三星电子21日宣布第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。

中国IC交易网· 2019-03-22阅读量2956

三星电子危机重重，下个月展示DRAM最新产品

2024-02-27阅读量1715

三星电子加强DRAM生产

三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。

2024-07-22阅读量1492DRAM

三星电子专注扩建DRAM生产线

2024-03-15阅读量2046

三星电子、SK 海力士 3D DRAM 商业化加速

韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3D DRAM商业化，他们认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

2023-03-13阅读量2226DRAM