根据HIS的预测资料可知，相较于2017年全球DRAM市场销售额年增率高达76%，而2018年成长幅度减缓至39%，2019年全球DRAM销售额年增率将转为-22%，显然行业景气呈现转差的局面，不但影响到国内外DRAM业者的营运绩效，更是牵动全球前十大半导体供应商的排名概况。

尽管有鉴于整体记忆体市况于2018年下半年~2019年以来出现急转直下的窘境，除先前五大厂降低资本支出，以及韩厂的新厂建置也延后之外，尔后Micron也减产DRAM、NAND Flash各5%，而目前Micron在全球DRAM、NAND Flash市占率分别为24%、15%，因而市场期望Micron的减产动作能发挥作用；但由于各家制程瓶颈突破后的新增供给仍不断释出。特别是Micron2018年底量产1y奈米制程Mobile DRAM，SK Hynix则宣布2019年首季起量产1y奈米制程DRAM，显然供给位元仍持续成长，且短期内受到全球经济放缓、美中贸易战造成供应链产业转移，以及Intel CPU短缺等状况干扰，导致智慧型手机、伺服器、消费性电子等各项科技产品需求皆转弱，况且2018年第四季递延以来的库存水位仍然偏高，加上在极力消化库存的考量下，DRAM供应商普遍采取持续大幅降价的策略以刺激销售，因此记忆体价格在2019年上半年都难以出现止跌的情况，仅有第二季的跌幅可望由首季的超过20%趋缓至15~20%。

而2019年第三季随着季节性旺季消费型电子出货上扬、Android / iPhone双阵营旗舰新机备料带动单机搭载容量提升，加上PC与伺服器回稳，DRAM供需可望逐步获得改善，惟受到库存去化尚未告一阶段，加上Samsung于2019年3月宣布完成1z奈米制程的开发，下半年进入量产阶段，预计DRAM均价跌势恐将持续至2019年第三季，跌幅预计为10%。

至于2019年第四季记忆体价格是否止跌回升，关键还是端看需求端的部分是否出现较为强劲的回升，以及第三季底库存去化的成效而定。若以全球半导体业者排行中记忆体厂商的表现观之，则2018年Samsung仍延续2017年的态势而位居全球第一大半导体供应商的地位，主要是由于上半年记忆体市场持续呈现价量齐扬的走势，因此可连续两年超越Intel而稳居龙头，同时2018年全球前十大排行中，同为记忆体族群的SK Hynix、Micron、Toshiba，销售额年增率分别达到37.6%、29.6%、12.1%，表现相对突出；但预计在记忆体市况丕变，特别是DRAM产品之下，2019年Intel恐将从Samsung手中夺回全球半导体供应国之首，反观2019年Samsung将退居第二名，且销售额年增率估计为-19.7%。

值得一提的是全球前两大DRAM厂商于中国的布局，以SK Hynix而言，除公司先前于无锡设置DRAM厂C2之外，无锡的扩建工厂C2F也于2019年4月全面投入运作，总计投资8.32亿美元，以导入10奈米制程量产DRAM产品为主，该工厂的产能将增加到每月18万片晶圆，反映未来SK Hynix DRAM于中国生产占比可望提升至50%左右，也显示中国生产基地对于SK Hynix重要性日趋提高。

至于Samsung而言，市场则关注未来公司是否授权中国记忆体业者，想必Samsung的考量点将是中、韩之间的政经角力，以及未来中长期中国记忆体事业逐步起飞可能带来的威胁，因而如何将潜在的隐忧转为对Samsung最为有利的局面，授权DRAM技术给中国新兴业者亦是选项之一，但预料也将引起美国政府的关切，毕竟美方仍是期望防堵中国半导体业全面崛起。