三星量产最薄LPDDR5X DRAM

三星紧凑型LPDDR5X DRAM封装高度仅为0.65毫米，可增强热控制，适用于设备上的AI移动应用。

2024-08-06阅读量1752DRAM

三星重新设计1c DRAM提高良率

三星电子自去年下半年起正在对最尖端DRAM进行重新设计

2025-02-12阅读量1483DRAM

三星通知DRAM、NAND即将涨价 涨幅均超两位数

​在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。

闪德资讯· 2020-03-15阅读量3455

三星转移DRAM产能给CMOS

报道指出，目前三星在全球CMOS 图像感测器的市场占有率仅次于SONY。目前三星的CMOS 大客户以中国手机品牌商小米及OPPO 为主，以小米11 为例，在前后4 颗摄影镜头，其中多达4 颗的元件都是三星的ISOCELL 方案。

闪德资讯· 2021-01-08阅读量2507DRAM

三星跳电事件激励买方预期性补货，2020年第一季 DRAM合约价起涨

根据某机构最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。因此，机构再次修正 2020 年第一季 DRAM 合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

集邦· 2020-01-09阅读量2895

三星计划扩大DRAM产能

2024-07-01阅读量1750

三星考虑在下一代服务器DRAM中应用MUF技术

据韩媒Thelec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。

2024-03-04阅读量1427

三星研发首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

2023-05-13阅读量1851

三星电子调整DRAM研发策略

三星电子已开始建设10nm第7代DRAM（1d DRAM）测试线，并准备开发10nm第8代DRAM（1e DRAM）。

2024-12-31阅读量1629

三星电子第三代10纳米级DRAM开发成功

三星电子21日宣布第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。自开始批量生产第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来仅仅16个月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）处理的情况下开发1z-nm 8Gb DDR4，说明三星突破了DRAM的扩展极限。

中国IC交易网· 2019-03-22阅读量2952