东芝NAND产线重启或使供给过剩情形恶化

东芝已重启6月中旬因停电而暂停生产的储存型快闪记忆体（NAND Flash）产线，可能使市场供给过剩情形恶化。

中国IC交易网· 2019-08-07阅读量3187

东芝-西数联盟， 西数3D NAND量产将使用三星TCAT工艺

据报道，东芝在12月8日 召开的IEDM会议上声明在3D NAND闪存量产中采用类似于三星TCAT的存储单元结构。

爱集微· 2019-12-12阅读量6944

东京电子成功开发出400层以上的3D NAND技术

东京电子（TEL）近日发布消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

2023-06-12阅读量2764NAND

东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量2259NAND

业界传出Marvell缩编台湾NAND团队

业界近日传出，因应NAND Flash行情不佳影响，加上美中贸易战限制，使Marvell的NAND Flash控制IC业务受到冲击，且将会裁撤中国台湾Marvell的NAND Flash控制IC的团队。

2023-11-17阅读量2098NAND

业内消息：主要供应商正增加176层3D NAND产量

据DIGITIMES援引消息人士称，美光科技率先将其176层3D NAND闪存制造工艺转向量产，SK海力士紧随其后，在第四季开始量产。三星电子也将在平泽第3工厂（P3）安装新的3D NAND芯片生产线，以提高176层3D NAND芯片产量，届时将拥有4万-5万片的月产能。

2021-11-24阅读量3847NAND

世迈科技：Q2 DRAM涨势趋缓，NAND将调涨15%~20%

上游DRAM/NAND Flash供应商正持续拉高产能利用率，因此下半年供需比将会是关注焦点。

2024-04-25阅读量2532NAND

与SK海力士一教高下！三星证实明年推300层以上V-NAND

韩国存储大厂三星分享V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存，这将是业界最高层数。

2023-10-20阅读量2238NAND

下半年NAND位元增速将下滑

受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。

2024-08-13阅读量2140

上半年DRAM和NAND低于先前预期

Hana预测三星电子与SK海力士生产的本季DRAM价格将比上季跌30%；Susquehanna表示今年上半年DRAM和NAND晶片价格将“低于先前预期”。

中国IC交易网· 2019-03-11阅读量3220