长江存储今年年底量产64层3D NAND，下一代将直接进入128层

目前，三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后，开始大规模生产96层NAND闪存。

半导体投资联盟· 2019-05-15阅读量2519

长江存储64层3D NAND送样，2020年将直接进入128层

继32层3D NAND于2018年底前投入量产，业界人士透露长江存储Xtacking™架构的64层NAND样品已经送至合作伙伴进行测试，读写质量大致稳定，预计最快将在2019年第3季投产。长江存储更计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。

中国闪存市场· 2018-11-14阅读量2925

长江存储3D NAND架构Xtacking揭秘：I/O速度看齐DDR4

谈到NAND闪存，或者说以它为代表的SSD产品，多数人对速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其实闪存芯片也有内部接口，LGA/BGA都有引脚，所以就有引脚带宽，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解为内频。

快科技· 2018-10-30阅读量2695

镁光西数与谁争锋？DRAM短缺日益严重，利好NAND市场供需趋势逐渐明显

在5G手机，云计算服务器，电动汽车和个人计算机等应用中，由于供应紧张和对存储芯片的需求不断增长，存储器价格正在上涨。

闪德资讯· 2021-03-04阅读量3406

镁光第四代3D NAND存储芯片完成首次流片，采用新型替代栅极架构

​镁光科技宣布第四代3D NAND存储芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，美光表示，新一代产品计划于2020年实现量产，但是仅仅会应用在特定领域中。

闪存市场· 2019-10-08阅读量2766

镁光新加坡扩建3D NAND闪存晶圆厂完工启用

镁光在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂昨（14）日正式完工启用。镁光指出，这是因应5G、人工智能（AI）和自动驾驶等领域客户需求的策略，也是镁光新加坡闪存制造重镇转型的重要布局。新加坡是镁光闪存生产重要据点，台湾地区和日本则是动态随机存取存储器（DRAM）生产重心 ，近几年镁光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建镁光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为镁光的DRAM卓越中心。

全球半导体观察· 2019-08-15阅读量3062

镁光将在本季度开始量产采用RG架构的128层3D NAND

镁光公司透露，它即将开始批量生产了4 次 代3D NAND存储设备。

2020-04-02阅读量2481

销售压力大，挑战大！2019上半年NAND和DRAM将持续跌价

今年 NAND Flash价格大跌，DRAM价格也逐步下滑。预计2019上半年原厂96层3D NAND和1ynm DRAM新一代存储器面世，市场价格恐会持续走跌，存储厂商财报将备受挑战。

中国闪存市场· 2018-12-04阅读量2809

铠侠：第二季盈利有所改善，NAND竞争加剧！

铠侠于11月12日公布了2020年第二季度（7月~9月）财报。财报显示，铠侠第二季营收为3291亿日元（约31亿美元），环比增长23%，同比增长38%；

闪德资讯· 2020-11-13阅读量2526NAND

铠侠展示BiCS 8 NAND

铠侠演示BiCS 8 制造流程。

2024-08-13阅读量872