四季度NAND涨30%、DRAM涨20%

2026-10-21
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据闪德资讯获悉,近日,据《工商时报》消息,尽管市场疑虑升温,但存储产品报价仍维持上涨趋势。研究机构预计,第四季NAND价格季增30%,DRAM合约价季增约20%。随着AI推论需求持续扩张,加上成熟制程新增供给有限,存储市场供需格局仍有望获得支撑。

机构进一步指出,第四季DRAM合约价涨幅预计将较第二季约80%、第三季约40%明显收敛。主要受到前期涨幅较大、终端市场对价格上涨的承受能力下降,以及长期供货合约(LTA)的价格上限机制逐步发挥作用等因素影响。

HBM方面,英伟达正重新评估下一代Rubin Ultra平台的配置方案,除原规划的12层堆叠HBM4e外,也将8层堆叠HBM4e及HBM4纳入评估。

若单层容量相同,堆叠层数从12层降至8层,单颗GPU的HBM容量将减少约33%;但在相同DRAM颗粒供给量下,理论上可支援约50%更多的GPU出货。

随着AI应用从模型训练扩展至大规模推论,模型参数规模、上下文视窗及KV Cache需求持续增长,将进一步带动内存容量与频宽需求,并推升服务器DRAM及企业级SSD的需求。

与此同时,三大原厂资本支出持续向高阶内存倾斜,成熟DRAM与NAND的新增供给相对有限,预计产业供需结构将较过往周期更具韧性。


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