中国闪存芯片大跃进，韩国企业感受到了威胁？

韩媒称，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下，中国半导体企业宣布进军市场。据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道，据悉，清华紫光的子公司长江存储（YMTC）从8月7日（当地时间）出席美国《美国的快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit）》，公开32层、64层3D NAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲，介绍新产品。

参考消息· 2018-10-26阅读量2639

东芝首发UFS 3.0闪存:2.9GB/s传输让手机媲美SSD

东芝宣布,已经试产了全球首个符合UFS 3.0标准的闪存存储方案,主要面向智能手机等移动设备,号称可带来媲美高端PC SSD固态硬盘的性能。 东芝UFS 3.0闪存芯片容量有128GB、256GB、512GB,其中初期仅有128GB,更大容量要等到今年3月份之后才有。

快科技· 2019-01-24阅读量3109

东芝彻底退出闪存市场，这是一个“舍子逐利”的故事

闪存芯片是闪存发挥性能的核心之一，据了解，这种芯片是由日本东芝公司在上个世纪八十年代所发明，东芝也是全世界位列第一集团的闪存芯片制造商，闪存产业的蓬勃发展，离不开东芝存储器的贡献。

闪德资讯· 2020-06-24阅读量4221

东芝96层QLC闪存明年量产：1500次P/E、M.2可到20TB

在此次闪存峰会上，东芝Keynote的重点是BiCS4 Flash，也就是QLC闪存。BiCS4即第四代BiCS 3D闪存，从BiCS3的64层堆叠提升到96层。时间节点和技术指标方面，BiCS4 QLC闪存将从明年开始量产，单芯片的容量可达1.33Tb，基于U.2形态的模组可以做到85TB，基于M.2 22110可以做到20TB，相当恐怖。

快科技· 2018-10-30阅读量3334

东京电子开发出可生产400层的3D NAND闪存设备

东京威力科创/东京电子（Tokyo Electron）为了追赶泛林集团（Lam Research），成功开发出可生产400层3D NAND闪存的设备，预估该技术可以为公司带来数十亿美元的净收入。

2023-10-18阅读量1999闪存

业界首款低功耗DDR5通用闪存推出，专为下一代5G智能手机设计

镁光宣布推出uMCP5，这是业界首款具有低功耗DDR5的通用闪存（UFS）多芯片封装LPDDR5 DRAM。据悉，镁光的uMCP5现在已经准备好进行批量生产，它将高性能，高密度和低功耗的内存和存储封装在一个紧凑的包装中，使智能手机能够以显著提高的速度和功效来处理数据密集型5G工作负载。

网络整理· 2020-10-21阅读量3642

业界2大存储龙头曝闪存低价时代不再

业界二大龙头厂私下证实，并表示，「先前该产品1.45～1.48美元低价位，未来不会再出现了」，意味存储价格全面看涨，可望在供应链配合下，进入报价回升周期。

2023-08-18阅读量2251

与铠侠合并失败，西部数据宣布将拆分闪存业务

西部数据周一表示，在与日本铠侠 (Kioxia) 合并的谈判陷入僵局后，该公司将剥离一直面临供应过剩问题的闪存业务，并宣布为其部分债务进行新一轮融资。

2023-10-31阅读量2129闪存

三星预计2024年初开始量产下一代NAND闪存

三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。

2023-10-18阅读量1846闪存

三星闪存将"报复性"涨价！

据外媒报道，受半导体材料限制出口影响，及东芝工厂停电事故。三星电子将借机带头调整NAND Flash闪存芯片的价格，幅度10%左右！

中国半导体论坛· 2019-07-10阅读量2946