三星12层HBM3E基本通过英伟达认证

三星电子初步通过英伟达对其12层HBM3E内存认证

2025-05-27阅读量1394三星

HBM4竞争，三星电子期待逆转

第10纳米第6代DRAM开发完成

2025-07-02阅读量1776三星

DRAM新战略，三星电子抢先投资

三星电子和SK海力士在10纳米级第六代（1c，11-12纳米）DRAM业务上采取了不同的战略。

2025-08-11阅读量1448

韩国股市暴涨，三星电子却一路下滑

韩国综合股价指数突破3100点，接近历史最高点

2025-06-25阅读量1537三星

罢工或导致三星电子最高损失30万亿

三星估算全面罢工将造成20万亿-30万亿韩元的生产损失，日均损失超1万亿韩元。

2026-04-20阅读量1366三星

三星高管造访英伟达总部争取HBM订单

三星电子存储芯片部门高管于五月下旬前往英伟达美国总部

2025-06-04阅读量1745三星

三星电子宣布165亿美元大订单

三星电子文件显示，已签署165亿美元的半导体供应合同。

2025-07-28阅读量1454三星

三星电子DRAM产量提高5%

三星电子预计今年将把DRAM 晶圆产量提升至近 800 万片，较去年的约 760 万片增长约 5%。

2026-01-14阅读量1312三星

三星晶圆代工力争今年扭亏为盈

三星电子的存储芯片业务由于价格大涨实现了巨额利润，但芯片代工业务已经连续亏损三年。

2026-03-03阅读量1018三星

三星否认停产SATA SSD

三星电子将停产消费级SATA SSD产品线。

2025-12-16阅读量1438三星