据韩媒BusinessKorea报道,三星电子和SK海力士正在激烈竞争,以引领人工智能(AI)时代的下一代半导体市场。两家公司都在努力通过新产品开发和大规模生产来获得优势。据业内人士透露,三星电子和SK海力士近日宣布了下一代半导体量产计划,重点在于谁能最先将这些新产品推向市场,吸引更多的关注。今年1月份,SK海力士开始量产第五代8层HBM3E,并取得领先优势。三星计划在今年上半年开始量产自己的8层HBM3E。但三星电子率先开发12层HBM3E,并于今年2月份开发成功。三星的目标是在今年晚些时候开始大规模生产,并向英伟达供货。与此同时,SK海力士今年上半年将向英伟达交付12层HBM3E样品。两家公司还竞相开发第六代HBM4,三星电子制定了明年开发HBM4并于2026年开始量产的路线图,三星HBM4计划提供三种选择:8层、12层和16层。SK海力士则计划在2026年实现HBM4量产,为了实现这一目标,该公司与台积电合作,SK海力士计划使用台积电的先进逻辑工艺技术生产HBM4。为了对抗SK海力士-台积电联盟,三星电子作为唯一一家拥有完整生产、代工和封装工艺的半导体公司,强调其为客户提供定制化HBM解决方案的能力。在DRAM领域,竞争仍在继续。三星电子最近发布了用于设备内置人工智能的LPDDR5X内存,其速度达到创纪录的10.7Gbps,超过了SK海力士用于移动设备的LPDDR5T的9.6Gbps。此外,三星电子计划于今年年底开始量产第六代10纳米DRAM,并于2026年开始量产第七代10纳米DRAM。SK海力士则计划于三年后推出第六代10纳米DRAM。据机构数据显示,去年第四季度,三星电子占据45.5%的DRAM市场份额,而SK海力士则占据31.8%。但在HBM市场,SK海力士拥有53%的市场份额,三星则为35%。下一代半导体的发展可能会显著改变市场格局,致使两家公司保持高度警惕。
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