根据韩媒Chosun Biz报道,根据统计,DRAM目前占以英伟达A100 GPU为主的数据中心平台总耗能的约40%。未来,随着层数的增加,其HBM内存的能耗也会持续增加。对此,韩国首尔大学推出了DRAM Translation Layer技术,声称可以将DRAM的功耗降低31.6%,这也引来三星对此青睐。目前,三星正在与首尔大学进行相关合作,以进一步降低内存功耗。当前所采取的是Compute Express Link的技术,进一步开发了采用12纳米制程技术的16GB DDR5 DRAM。而该型产品与上一代相较,能耗降低了23%。除了三星之外,韩国另一家存储大厂SK海力士则是推出了LPDDR5X,将High-K金属栅(HKMG)制程技术应用于移动DRAM上。因为High-K材料的介电常数比传统SiON绝缘膜高约5倍,可以在相同面积和厚度下储存5倍的电荷,并帮助减少电流外泄。如此在控制外泄电流的基础上,SK海力士的LPDDR5X不但在传输速度上提高了33%,功耗也比上一代产品降低了20%以上。根据市场人士的回应,指出随着训练模型对存储厂商提出进一步的技术更新要求,厂商们当下也纷纷展开彼此之间的竞争,如此预计将使得存储成本获得一定幅度下降,这让消费者也能从中获益。
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