11月27日，紫光国芯首次外界展示了其量产从颗粒到模组全系列的内存产品，据闪德资讯的现场记者了解，西安紫光国芯DDR4的模组现在已经量产了。紫光现场负责人也向我们透露，量产规模很大，主要针对的是国内市场，DDR4的颗粒预计是在2020年Q1开始实现量产。

西安紫光国芯本次展示的产品包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM颗粒，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模组产品，和世界首款商用内嵌自纠错DRAM，即ECC DRAM产品。

图1 西安紫光国芯LPDDR4 DRAM颗粒，8GB

图2 西安紫光国芯DDR2 ECC DRAM颗粒，1 GB

下面的是西安紫光国芯的内存模组，其中有笔记本版的SO-DIMM规格，也包含服务器版的R-DIMM规格，还有桌面版的U-DIMM规格。

　　图3 西安紫光国芯SO-DIMM内存模组，单条8GB

　图4 西安紫光国芯U-DIMM内存模组，单条容量4GB，频率2666MHz

图5 西安紫光国芯R-DIMM内存模组，单条容量16GB，DDR4-2666频率

图6 西安紫光国芯NVDIMM内存模组，16GB，频率2666MHz

此外，紫光还展出了SSD部分产品。包括企业级SSD以及3D NAND TLC颗粒

图7 西安紫光国芯P8160 企业级PCIE SSD产品

图8 西安紫光国芯的3D TLC NAND FLASH颗粒

实现国产自产化，打破“卡脖子发展”

据某机构统计，全球 NAND Flash 和 DRAM 晶片月产能共计达到 130 万片，主要产能由三星电子 (Samsung)、SK 海力士、镁光以及Kioxia铠侠（前身为东芝存储）等美日韩制造商所掌握。

当前国内的手机市场需求巨大，但是我们在生产手机的个别核心技术上却一直很缺乏，比方说芯片和内存几乎大部分一直被国外科技巨头所垄断，国产科技企业无法完全自主研发芯片和内存，这让不少手机企业都经常会被“卡脖子”发展。

而西安紫光国芯这次首次展示全系列产品，让业内看到了其在DRAM存储器上的研发和技术积累，同时看到了国产自产化的未来，虽然当前实力还不足与国际水平相比，但是就长远角度，中国存储产业将不再担心受到“卡脖子”了。