延续摩尔定律，英特尔电晶体微缩技术大突破 ssd新闻存储新闻

2023-12-13

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据台媒《工商时报》报道，英特尔为了在半导体市场重拾竞争力，近日在年度IEEE国际电子元件会议（IEDM）上发表多项新一代电晶体微缩技术突破，其中最大亮点，是芯片背部供电及直接背部接触的3D堆叠互补金属氧化物半导体（CMOS）电晶体，有助英特尔朝4年5节点的目标迈进。

随着电脑计算需求急速扩大，英特尔近年不断设法延续摩尔定律，并订下4年5节点的计画，宣称未来新芯片设计的规格单位将不再局限于纳米，而是进入埃米时代（ Angstrom Era）。

英特尔先前已宣布明年推出的20埃米（20A）节点将运用新一代RibbonFET技术，这次在IEEE国际电子元件会议上又发表更新技术，那就是芯片背部供电及直接背部接触的3D堆叠CMOS电晶体。

英特尔在会中展示，这项创新技术能在小至60纳米的微缩闸极间距垂直堆叠互补场效电晶体（CFET），大幅提升空间效率。

英特尔表示，芯片背部供电及直接背部接触的3D堆叠CMOS电晶体能将处理器电力互连元件移至芯片背面，换言之芯片正面能容纳更多数据传输元件，况且电力互连元件的体积也能扩大，相对减少电阻。

事实上，英特尔早在两年前就为3D堆叠CMOS电晶体申请专利，但在今年5月ITF World大会上才首度公开3D堆叠电晶体研发计划。英特尔近日公布的制程技术蓝图一再强调电晶体微缩技术创新，其中PowerVia芯片背面供电技术已经预定明年量产。

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