ASML与三星签署备忘录，将共同在韩国建立研究中心 ssd新闻存储新闻

ASML与三星签署备忘录，将共同在韩国建立研究中心

2023-12-13

阅读量 1344

近日，半导体光刻机大厂ASML宣布，与韩国三星电子签署备忘录，将共同投资1万亿韩元在韩国建立研究中心，并将利用下一代极紫外（EUV）光刻机研究先进半导体制程技术。另外，ASML也宣布与SK海力士签署ESG备忘录，双方在包括环境、社会和公司治理专案展开合作。

值得一提的是，上个月初有消息表示，三星电子在五年内从ASML采购50套设备，每套单价约为2000亿韩元，总价值可达10万亿韩元。

事实上，三星电子于2022年6月推出了全球首个采用全栅极（GAA）技术的3纳米半导体芯片制程技术，使得该公司一直在努力确保能采购更多EUV光刻机，目标是使该公司能在2024年上半年进入第二代3纳米制程技术之后，2025年进入2纳米制程技术，并在2027年进入1.4纳米半导体制程技术领域。

正因如此，三星集团董事长李在镕在2022年6月访问了ASML总部，ASML执行长Peter Bennink讨论了EUV的采购问题，并在同年11月与访问韩国的Peter Bennink进行了进一步会谈。鉴于EUV光刻机从下订到交货的时间至少需要一年的情况下，当时的会面讨论开始在现在开花结果。

另外，先前ASML也曾经表示，计划在2023年底前发表首台商用High-NA (NA=0.55) EUV曝光机，并在2025年量产出货。这使得自2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。目前，预估High-NA EUV光刻机将会有五大客户，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光等。也因此，ASML与三星才会在EUV曝光机的相关事项上，持续加强合作。

点击此处关注，获取最新资讯！