美国时间2020年10月20日，镁光宣布推出uMCP5，这是业界首款具有低功耗DDR5的通用闪存（UFS）多芯片封装LPDDR5 DRAM。据悉，镁光的uMCP5现在已经准备好进行批量生产，它将高性能，高密度和低功耗的内存和存储封装在一个紧凑的包装中，使智能手机能够以显著提高的速度和功效来处理数据密集型5G工作负载。

据了解，镁光推出的芯片封装使用自己的LPDDR5存储器，高可靠性NAND和领先的UFS 3.1控制器来提供高级移动功能，这些功能以前仅在使用分立产品的昂贵旗舰设备中才能看到，例如独立存储器和存储，还有新的图像识别技术。

镁光移动业务部高级副总裁兼总经理Raj Talluri表示：“将5G的潜力从炒作变为现实，将需要能够支持通过网络和下一代应用程序传输的大量数据的智能手机，我们的uMCP5在单个封装中结合了最快的内存和存储，为5G破坏性的，数据丰富的技术释放了新的可能性，触手可及。”

如今，智能手机必须存储和处理的大量数据将基于DDR4的中级芯片组的内存带宽推向了极限，结果是降低了视频分辨率，增加延迟时间和提升有限的功能。本次发布以镁光3月份宣布的uMCP5样品发布为基础，并为移动市场设定了新标准，这是第一个使用最新一代UFS NAND存储和低功耗DRAM的多芯片封装。

借助LPDDR5，镁光科技已将内存带宽从3,733兆字节/秒显着增加，即使为使用大量数据的功能，也能为移动用户提供无缝，即时的体验。高通技术公司产品管理副总裁Ziad Asghar表示：“ 5G为智能手机提供了前所未有的千兆速度来与云连接，我们很高兴uMCP5现已面世，将与5G速度相提并论的内存带入了市场，新一代手机，并提供一流的游戏，差异化的相机和AI体验以及超快速的文件传输。”

uMCP5的亮点在哪里？

uMCP5专为下一代5G设备而设计，可以轻松快速地处理和存储大量数据，而不会影响性能或功耗。高性能的内存和存储功能使uMCP5能够完全支持5G下载速度并同时运行更多应用程序。

镁光的uMCP5极大地延长了电池寿命，在uMCP4的成功基础上，为uMCP5利用LPDDR5内存来实现5G网络的完全利用，与LPDDR4相比，功率效率提高了近20％。此外，Micron的UFS 3.1功耗比Micron的UFS 2.1以前的型号少40％。对于智能手机用户来说，这意味着可以延长电池寿命-即使在消耗耗电的多媒体应用程序或数据密集型功能（例如AI，AR，图像识别，游戏，沉浸式娱乐等）时也是如此。

同时，uMCP5具备快速的下载速度，与之前镁光基于UFS 2.1的解决方案相比，镁光新推出的uMCP5释放了5G性能的全部潜能，为用户提供了20％的持续下载速度。耐用性增强的镁光的uMCP5，NAND的耐用性提高了约66％，达到5,000个编程/擦除周期，以指数方式增加了设备可以编程和擦除的数据周期和数据量，而不会降低设备性能-甚至延长了智能手机的使用寿命用户。

领先的带宽也是一大亮点，uMCP5具有其支持的设备最高DRAM带宽，最高可达6,400 Mb / s，与上一代LPDDR4x的带宽为4,266 Mb / s相比，增长了50％。这使移动用户可以在许多应用程序上执行多任务而不会减少经验。增加的带宽还可以为智能手机中的AI驱动的计算摄影提供更高质量的图像处理，从而使专业摄影功能掌握在用户手中。镁光是业界第一家支持全速LPDDR5的供应商。

闪存性能大幅度提升是uMCP5区别以前产品的关键，镁光的uMCP5还利用最快的基于UFS 3.1的存储接口，与镁光的上一代UFS 2.1产品相比，提供了两倍的顺序读取性能和20％的更快的写入速度。

对于工程师而言，节省空间的设计是其采用这颗芯片的参考因素，微米设计uMCP5在最紧凑的形状因子可能的，使用它的多芯片封装的专业知识和已知的设计和制造技术使得产品设计更薄更灵活。

据悉，uMCP5的技术与分立式解决方案相比，采用镁光封装的器件可以节省55％的印刷电路板空间，这意味着LPDDR5和UFS的独立版本，这种节省的空间使电话制造商能够最大程度地增加电池尺寸或添加功能，例如相机、手势设备或传感器，镁光为客户提供了高达12 GB的LPDDR5和512 GB NAND的广泛容量配置。

据镁光介绍，uMCP5现在准备进行批量生产，uMCP5是在四个不同的密度配置，128+8 GB，128+12 GB，256+8 GB和256+12 GB，后续消息，闪德资讯持续保持跟踪。

点击此处关注，获取最新资讯！