英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。

处理器大厂英特尔（Intel）在2015年宣布，其总投资55亿美元的大连的Fab 68晶圆厂第2期工程改造为NAND Flash快闪存储器工厂之后，现在宣布已经正式投产。未来，主要将生产96层堆叠的3D NAND Flash快闪存储器，积极追赶竞争对手的市占率。

根据统计，在全球NAND Flash快闪存储器市场上，韩国三星的市占率高达到37%，东芝、西部数据则分别有20%、15%左右的市占率。再来才是美光、SK Hynix，英特尔是全球6大厂商中市占率最少的，不足10%，这也导致英特尔过去在NAND Flash快闪存储器，以及SSD固态硬盘市场上主打企业级市场，消费等级SSD市场就放置在重点之外，造成影响力远不如三星、东芝、美光等竞争对手。而出现这种情况的原因，就在于英特尔没有自己独立的NAND Flash快闪存储器产能。

为了填补此空缺，2015年英特尔宣布，将在大连的Fab 68工厂建设第2期工程，用于生产非易失性存储器，也就是NAND Flash快闪存储器，总投资高达55亿美元。如今，经过3年的建设，Fab 68工厂的第2期工厂正式投产，主要将生产96层3D NAND快闪存储器，这也意味着英特尔未来的3D NAND快闪存储器产能将会大增。

据了解，英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。至于现在宣布量产的大连Fab 68第2期工厂，未来将成为英特尔最重要的NAND快闪存储器生产基地。

预计，英特尔70%的3D NAND快闪存储器将产自这里。至于与美光共同合作的3D XPoint快闪存储器，则在英特尔与美光宣布两家公司分道扬镳之后，英特尔正在把研发基地移师到新墨西哥州的工厂，预计会增加当地100多个工作岗位。

      目前，英特尔与美光的3D XPoint快闪存储器主要是在美国犹他州的工厂生产。双方在正式分道扬镳之前，将会继续努力合作完成第2代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会各奔前程，各自开发基于3D XPoint技术的第3代产品。