历经一年多的景气循环，内存大厂库存去化有成，加上供给端新增产能有限，受惠5G 时代来临，市场原预期今年供需将趋于平衡，甚至可望供不应求，但产业还未迎来好年，年初就先爆发肺炎疫情；即便如此，内存厂未因疫情影响，而中断长期营运策略，今年新制程技术转进仍照计划进行中。

华邦电2018 年第4 季起，开始量产自主研发的25 纳米DRAM 制程技术，不过，其量产时间点刚好碰上DRAM 市况反转，对新制程转进来说，较为辛苦，去年第4 季时营收占比仅约6%，且受到DRAM 价格下滑冲击，加上25 纳米开发成本高两大因素影响，第4 季单季营运因此转亏。

华邦电认为，今年新制程开发与良率表现，将渐入佳境，新制程转进效益本季已显现，第 3 季起会更好。且虽然今年以来爆发肺炎疫情，新制程转进也在逐步步入轨道阶段，但华邦电营运计划并未受疫情影响而改变。

华邦电去年宣布将高雄 12 英寸新厂装机时程延至 2022 年，目前时间点不变，届时 20 纳米新制程技术，将在高雄厂投片。除 DRAM 外，45 纳米 NOR Flash 制程技术明年也将正式量产。

南亚科目前主力为授权自美光的20 纳米制程技术，今年初并宣布成功开发出10 纳米级DRAM 新型记忆胞技术，再度走回自主研发之路，第一代10 纳米级前导产品8Gb DDR4、LPDDR4 及DDR5，涵盖消费型、低功率与标准型产品，预计今年下半年陆续进入试产。

为建置10 纳米级制程试产线，南亚科董事会今年5 月初也通过，将再新增新台币65.6 亿元新台币资本支出预算，今年度资本支出预算也因此提升至不超过157.6 亿元新台币，较去年扩增1.86 倍。第二代 10 纳米级制程技术已进入研发阶段，预计 2022 年前试产，也会开发第三代 10 纳米级制程技术。

旺宏去年成功量产19 纳米SLC NAND Flash，今年下半年出货可望放量，客户涵盖各类应用，包括工控、医疗、安控与车载等；今年下半年也将推出3D NAND 产品，48 层3D NAND 预计第3 季送样客户，第4 季量产，明年才可望放量，并预计2021 年量产96 层3D NAND、2022 年量产192 层3D NAND。

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