三星电子正在采取积极扩大内存生产的举措。

这是因为该公司积极寻求向HBM（高带宽内存）和高端产品的工艺转换，明年传统内存产能可能会出现非常不寻常的下降。

事实上，三星电子正在要求内存产线实现最大产量并提高设备运转率。

业内人士透露，三星电子最近一直在推行一项计划，以最大容量运营整个内存产线。

从本月开始，三星电子内存部门内部一直在讨论DRAM和NAND都应该达到最大产量，主要目标是首先扩大产量，无论内存价格波动。

三星电子在6月中旬发布了重新管理内存产线“止损”的指令。

停损是指线路中的设备因休息或维修等原因停止运行而造成的损失。

去年由于行业衰退，开工率较低，三星电子停止了停电损失管理。

恢复停电损失管理意味着设施开工率将再次提升。

三星电子转向最大内存生产的原因是产能。

据了解，三星电子目前内部预测，明年传统内存产能（以位数计算）可能会下降。

推动明年内存产能负增长的最大因素是“工艺转换”。

三星电子自今年年初以来一直对HBM进行大规模投资，并开始致力于将现有的传统DRAM和 NAND转化为高端端产品。

首先，就DRAM而言，三星电子正在将旗舰产品1a（第四代10纳米级）DRAM投入HBM生产。

由于预计到今年年底将HBM最大产能扩大至每月17万片，因此除HBM之外的1a DRAM生产预计将变得更加紧张。

此外，还计划扩大最先进DRAM产品1b DRAM（第五代10纳米级）的生产。

为此，平泽P2和华城15号线现有的1z DRAM（第三代10纳米级）工艺将转换为1b DRAM。

目标是今年确保每月约10万的产能。

就NAND而言，自今年第一季度以来，西安晶圆厂一直在进行投资，将现有的V6 NAND工艺转换为V8。

西安NAND工厂共有两条产线，其中转换是从一条产线开始进行的。

另一方面，预计今年内存需求将超过供应。

到今年年初，三星电子已经清空了很大一部分内存库存，并表示担心，如果明年内存位总量下降，供应可能会吃紧。

目前气氛正在催促三星电子减少内存库存，扩大整个产线的生产。

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