2018年长江存储自主研发进展顺利，2018年底32层64G 3D NAND开始量产，2019年第三季亦将进入64层3D NAND Flash领域，2020年更规画跳过96层而直接跨入128层3D NAND Flash产品，同时南京、成都储存晶片/苏州SSD工厂也相继动工，显然长江存储已开始于2019年进入全球NAND Flash供应商的行列。

事实上，2018底年随着长江存储的产能开始释出，该阵营更宣布将要在2023年实现每月30万片晶圆的产能，满足内陆NAND Flash需求量的50%，加上合肥长鑫2018年内底推出8Gb LPDDR4，2019年第三季正式投片，目标至2019年底达到2万片产能，代表内陆跨入记忆体市场，不过整体进展未如原先预期顺利，主要是福建晋华与联电的部分因与Micron产生专利纠纷、窃密案，而在2018年11月被美国进一步祭出禁售令的制裁，导致福建晋华DRAM生产进度几乎已经宣告停摆。

此外，紫光国微的DDR4 DRAM虽然目前已经基本完成了设计、开发工作，但受限于国内无适合的DRAM晶圆厂，无法投入生产，更何况美、日、韩阵营仍对长江存储、合肥长鑫、紫光国微的专利授权情况予以高度关注，不排除未来先进国家仍会对大陆量产记忆体採取其他制裁动作；然而国内也正力求突围，如对岸针对全球DRAM三巨头的反垄断调查，已从DRAM价格垄断，转向NAND Flash捆绑销售，而三大巨头不缴罚金的交换条件，将是停止或中断对国内记忆体业者的专利侵权诉讼。

整体而言，尽管全球NAND Flash供应大厂多祭出调降资本支出、放缓制程微缩的速度，但因需求面仍显疲弱，毕竟美中贸易战的不确定性影响下游出海口市场的需求水位，故该产业供需失衡态势难以抵挡，导致2019年全球NAND Flash恐仍延续2018年的跌势，且跌幅依旧有高于2018年的机会，此对于开始量产的国内主流记忆体晶片大厂长江存储将相对不利，短期内公司获利恐难以正面看待；若以上下半年观之，虽然2019年第三季起随着5G商转带动伺服器需求趋于活络，但NAND Flash中的3D TLC、QLC制程良率渐趋稳定，使得NAND Flash价格仍备受挑战，尚无法出现止跌的态势。