1.台积电5nm晶体管增加1.8倍，对手仅增2成；

10月21日，据经济日报报道，台积电内部消息指出，台积电5nm制程试产结果显示，晶体管数量是7nm制程的1.8倍，反观竞争对手的5nm却仅仅增加二成左右。

报道称，台积电5nm的功耗等芯片效能都超过竞争对手，制程工艺远非对手能及，客户会选谁代工，从台积电决定增备产能，就可见一斑。

台积电5nm制程已获苹果、海思、AMD、比特大陆和赛灵思5大基本客户，量产时间或将提前至明年3月。台积电还宣布上调今年资本支出至 140~150 亿美元，较原先规划的 100 ~ 110 亿美元，增幅高达 4 成。

台积电供应链透露，台积电位于南科Fab 18的P1及P2厂，月产能已由原先的4.7万片增至5.1万片，P3厂决定加快建厂进程，并导入5nm强化版（5+），月产能规划近3万片，使5nm月产能增至8万片以上，产能扩张十分迅速。

2.联发科：积极拓展5G、AI等应用，挑战下一个巅峰；

据台媒报道，近日，联发科举行了员工运动会，联发科董事长蔡明介在运动会上表示，展望未来，联发科将持续巩固移动通信、智能设备等领域现有产品市占率，并将积极拓展如5G、AI等相关技术应用，挑战下一个巅峰。

蔡明介还指出，联发科布局全球，但要谨记联发科的根在中国台湾，总部也是研发团队的重心所在。日前，IC Insights公布的全球半导体企业排名中，联发科名列全球第 15 大半导体公司，从Fabless IC 设计公司的角度来看更是亚洲第一，这是对公司营收表现的肯定，同时也更强化了公司持续追求技术领先的决心。

联发科从去年的第16位上升到了今年的第15位。在前15位中，总共有6家总部位于美国的供应商，3家位于欧洲，另外中国台湾、韩国和日本各有2家。

3.半导体拖累日本9月出口连十降，央行下周祭出宽松货币政策？

日本9月出口已是连续第10个月紧缩，引发外界臆测日本央行最快下周将祭出宽松货币政策，以对抗升高的海外风险以及需求减缓问题。

根据路透社报道，日本财务省公布9月出口同比下滑5.2%，主要是受到车用零件以及半导体制造设备拖累 

这次的下滑幅度比经济学者一般预期的4%衰退还要大，同时也是2015年10月至2016年11月连续14个月衰退之后的最长一次出口连续下滑。

市场臆测，日本央行会在10月30日、31日为期二天的会议当中释出宽松政策，因为在上回评论利率时，日本央行表示将会全面检视目前海外风险升高是否已经造成日本原本就已脆弱的经济复苏脱离常轨。

日本央行总裁黑田东彦（Haruhiko Kuroda）于上周六也对路透社表示，如果有必要祭出宽松货币政策，日本央行当然会调降短期至中期的利率。

中美贸易战已经造成全球经济风险升高，也造成日本这个全球第三大经济体的经济前景渐趋黯淡。

4.SK海力士，第三代10纳米DDR4 DRAM 开发；

首尔，2019年10月21日 – SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM。

这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比，该产品的生产效率提高了27%，并且可以在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的情况下进行生产，结果具有成本竞争力。

该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约40％。

特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。

DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示：“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应， 积极应对市场需求。”

另一方面，SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。

5.红谷滩新区•高通中国•影创联合创新中心成立，共促VR/AR产业发展；

2019年10月20日，南昌市政府、高通（中国）控股有限公司（Qualcomm）和上海影创信息科技有限公司在南昌省行政中心会议中心举行“红谷滩新区•Qualcomm•影创联合创新中心”（以下简称“联合创新中心”）签约仪式。江西省、工信部、南昌市领导，及VR/AR产业链合作伙伴代表出席活动并见证签约。

图为：江西省南昌市副市长杨文斌（右）、Qualcomm市场营销副总裁侯明娟（中）、影创科技集团副总裁、影创研究院副院长骆大典（左）

VR是新一代的信息通信技术的关键领域，具有产业潜力大、技术跨度大、应用空间广的特点，已被列入“十三五”信息化规划、互联网+等多项国家重大文件中。“红谷滩新区•Qualcomm中国•影创联合创新中心”，旨在整合各方优势资源，拓宽南昌本地企业的研发及自主创新能力，从而促进无线头盔、VR/AR眼镜及物联网产业的蓬勃发展。联合创新中心由展示中心、创新实验室组成。其中，展示中心将展示Qualcomm技术支持的终端产品以及应用案例，帮助南昌双创企业了解全球最新技术、行业趋势、应用场景与案例，拓宽双创企业的开发思路。

创新实验室将配备先进的测试仪器，依托Qualcomm全球领先的无线技术，为符合条件的双创企业提供技术评估、初期研发指导及实验性测试。双创企业可通过创新实验室，对Qualcomm的技术进行了解，并提高其研发和自主创新能力，从而加快和提升自身在VR/AR终端及物联网等相关行业应用领域的进步。此外，联合创新中心将会不定期举办技术讲座以及VR/AR产业相关的培训和研讨会等活动。

南昌市红谷滩新区管委会工委委员邓越峰表示：“VR产业被称为信息产业的‘下一个风口’，南昌市乘势而上、抢占先机，不仅启动了全球首个城市VR产业规划，还重点构建‘四大中心’、建设‘四个平台’，以此来助推江西省经济‘变道超车’。与Qualcomm和影创科技的合作让我们感到非常振奋，未来，联合创新中心将以发展VR产业为契机，深入推动南昌市双创企业技术创新，协助南昌把握重大科技革命带来的窗口机遇。”

Qualcomm市场营销副总裁侯明娟表示：“随着5G的商用，各行各业都将迎来全新的创新周期，其中就包括XR（包括VR/AR）产业，Qualcomm在这一领域拥有非常深厚的技术积累。此次签约，是Qualcomm深耕中国的重要举措之一，通过与南昌市红谷滩新区管理委员会、影创科技的共同努力，联合创新中心将推动国内XR行业的技术创新与发展，并促进南昌市高科技产业的发展。”

影创科技董事长孙立表示：“Qualcomm一直是影创科技的重要战略合作伙伴。此次联合创新中心的建立，将有助于推动XR产业生态链的进一步发展。影创科技将会继续推进与Qualcomm的合作，积极布局人工智能、混合现实、量子计算等产业，以新技术作为新动能构创新经济，助力江西省社会和经济发展上新台阶。”

当下，5G的商用以及产业链的日臻成熟也为XR的发展带来了全新契机，5G技术所支持的高速率、低时延和高可靠性，将极大程度地推动XR普及并走向繁荣。未来，XR将与5G一起，借助消费终端和工业终端驱动创新并带来经济效益，也将变革教育、工业制造、零售等广泛的行业和领域，激发新一轮的创新周期。

6.三星下订15台EUV，设备机台一机难求；

台积电（2330）宣布7纳米强效版及5纳米导入EUV微影技术且成功量产入市后，韩国媒体报导，三星向半导体设备大厂ASML下订15台EUV设备，另外，英特尔、美光、海力士也规划采用EUV技术，僧多粥少，全球半导体业掀起抢EUV（极紫外光）设备大战。

台积电日前宣布，领先业界导入EUV微影技术之7纳米强效版制程已协助客户产品大量进入市场，且2020年上半年量产5纳米也将导入EUV制程。根据韩国媒体报导，为达成2030年成为全球第一半导体大厂的目标，并超越晶圆代工龙头台积电，抢占未来二到三年的5G商用化所带来的半导体市场需求，三星已向全球微影曝光设备大厂ASML订购15台先进EUV设备。

另外，英特尔EUV计划的负责人Britt Turkot年中表示，EUV技术已经准备好，并且投入大量的技术开发。存储器大厂美光、海力士也计划导入EUV技术，然而目前全球提供EUV设备仅ASML一家，业界预估ASML一年仅能生产约30台EUV设备，在各大厂相继投入之下，形成设备机台一机难求，排队等设备景象。

由于EUV极短波长13.5纳米之强力光线的技术，能够更完美地解析先进制程的设计，减少芯片生产步骤及光罩层数，在5G即将进入商转，高速高频特性，对芯片微缩、低功耗要求高，成为延续摩尔定律重要技术。

不过，要驾驭此复杂且昂贵系统来制造大批芯片却是一件难事，三星虽最早宣布7纳米制程导入EUV，但先前即传出生产晶片良率及产量不足，台积电表示，为何7纳米一开始未导入EUV，正因新技术导入制程需要经历一段学习曲线，台积电在7纳米强效版成功学习经验，未来可顺利导入5纳米制程。