1. 白宫要数据？韩国：严正关切！
2. 三星电子宣布2025年量产2纳米芯片
3. 金士顿DDR5内存已经通过英特尔认证
4. 北方华创：前三季度预计净利同比增长82%-117%
据韩国时报等媒体10月7日消息，针对美国政府打算实施《国防生产法案》（DPA）、要求半导体公司提供机密资料的举措，韩国首席贸易谈判代表正式公开表示“严正关切”，并称准备帮助捍卫两大本土芯片制造商三星电子和SK海力士的利益。在今年韩国国民议会对产业通商资源部的年度审计中，其部长文胜煜称，他认为美国的要求“非常罕见”，并该部将积极与美国政府一起干预这一问题，以保护韩国公司的利益。美国已经发出了“自愿”问卷调查，限半导体公司在45天内提供信息。三星和SK海力士被敦促就敏感信息回答14个问题，包括它们的生产计划(存储芯片和代工芯片)、库存水平、客户名单、管理规划以及目标收入。消息人士表示，令三星和SK海力士表示担忧的是，他们提供的敏感信息将使英特尔和美国芯片制造商占据上风。与此同时，美国政府的要求也可能是其支持英特尔加强其代工相关业务的举措。
10月7日消息，据台媒报道，三星电子在公司举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。三星表示，公司的GAA电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产3纳米芯片，2025年量产2纳米芯片。GAA制程生产的3纳米芯片与5纳米相较，性能增强30%，功耗减少50%。一直压三星电子一头的台积电，早于今年4月底就更新了其最新的制程工艺路线图。据悉，台积电4nm工艺芯片将会在2021年底进入「风险试产」阶段，2022年实现量产；3nm芯片预计在2022年下半年投产，2nm工艺正在开发当中。去年9月的相关消息则称，台积电将于2023年试产2nm工艺，2024年量产。
据外媒 techpowerup 报道，金士顿于 10 月 6 日宣布其两款 DDR5 UDIMMS 台式机内存条已通过英特尔平台认证，代表着其产品将与第 12 代酷睿处理器兼容。金士顿将推出一系列高性能 DDR5 内存，覆盖低容量至高容量，提供多种外形。官方表示，在开发出最新 DDR5 内存之后，已经向主板制造商和合作伙伴发出了 10000 多个 DDR5 UDIMM 内存条样品，以便尽早为产品的正式发布奠定基础。根据研究机构 TrendForce 的最新数据，金士顿已经成为全球顶级的 DRAM 内存模组供应商，收入排名第一。金士顿高管指出，公司已经为 DDR5 内存产品进行了大量投资，在全球缺芯的背景下提前大量采购原材料，以满足未来 DDR5 的大批量需求。
北方华创：前三季度预计净利同比增长82%-117%
10月7日，北方华创发布三季报业绩预告，前三季度预计收入57.65-65.94亿元，同比增长50.3%-71.9%；净利润约5.95-7.09亿元，同比增长82.3%-117.2%。北方华创第三季度实现营业收入21.56-29.85亿元，同比增长30%-80%；净利润2.85–3.99亿元，同比增长100%-180%。北方华创主营半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。公司现有四大产业制造基地，营销服务体系覆盖欧、美、亚等全球主要国家和地区。
（以上新闻源自：财联社、科创板日报、韩国时报、台湾经济日报、快科技等）
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